在我們的項目中，時常會有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲器的驅(qū)動設(shè)計、實現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:55
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串口RS-232/485輸入的數(shù)據(jù)透明存儲在SD卡中。數(shù)據(jù)存儲器采用模塊化設(shè)計，不需要用戶對現(xiàn)有設(shè)備進行改造，實現(xiàn)數(shù)據(jù)實時存儲。該產(chǎn)品已廣泛使用于系統(tǒng)集成設(shè)備、自動化采集設(shè)備、高校、研究所重要實驗裝置
2012-11-20 14:00:52
概述:FM1808是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款256K位并行存儲芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲器采用先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
）是指在系統(tǒng)加電時，DSP將一段存儲在外部的非易失性存儲器的代碼移植到內(nèi)部的高速存儲器單元中去執(zhí)行。這樣既利用了外部的存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又充分發(fā)揮了DSP內(nèi)部資源的效能。盡管用戶代碼在
2011-07-08 11:10:56
DSP外接存儲器的控制方式對于一般的存儲器具有RD、WR和CS等控制信號，許多DSP（C3x、C5000）都沒有控制信號直接連接存儲器，一般采用的方式如下： 1.CS有地址線和PS、DS或STRB譯碼產(chǎn)生； 2./RD=/STRB+/R/W； 3./WR=/STRB+R/W。
2009-04-07 08:50:18
具體應(yīng)用情況:5509A DSP 的CE1空間外接了一個異步存儲器（FIFO），由DSP提供的異步讀時鐘 ARE 的頻率是怎么控制的呢？是主頻/(建立時間+選通時間+保持時間)嗎？當(dāng)然這三個時間可由
2015-01-13 20:33:46
FM18L08 - 256Kb 2.7-3.6V Bytewide FRAM Memory - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
各位高手，我在使用28335 SPI與FM25L256鐵電存儲器進行調(diào)試時，用示波器能測DSp 28335的SPICLK引脈沖輸出，SPI_SIMO引腳上也有數(shù)據(jù)發(fā)送出來的脈沖，但是就是讀不到從
2014-06-14 10:33:27
紫外線)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：電可擦除可編程ROM)。以上是大家在各種教材上看到的存儲器的分類。問題是，ROM明明叫只讀存儲器
2012-01-06 22:58:43
存儲器：用來存放計算機中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。 只讀存儲器（ROM）：只讀存儲器在使用時，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-10-24 14:31:49
`存儲器：用來存放計算機中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。 只讀存儲器（ROM）：只讀存儲器在使用時，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-12-21 17:10:53
概述：M6M80021L是日本三菱電機半導(dǎo)體（Mitsubishi Electric Semiconductor）早期出品的一款2048 bit電可擦寫可編程EEPROM存儲器，主要用作于CRT彩色電視機中。
2021-04-09 07:32:00
概述：AT24C08是ATMEL公司出品的一款8192位的串行電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM)，每個存儲單元有1024字，每個字為8位。AT24C08系列芯片采用8引腳PDIP，8引腳JEDEC SOI
2021-04-06 08:35:58
flash存儲轉(zhuǎn)換成鐵電存儲,應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機存儲器，它沒有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問題，而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數(shù)低的缺點,同時其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
遠高于同等容量的EEPROM。在電子式電能表行業(yè)中,數(shù)據(jù)安全保存是最重要的。隨著電子表功能的發(fā)展,保存的數(shù)據(jù)量越來越大,這就需要大容量的存儲器,而大容量的EEPROM性能指標(biāo)不是很高,尤其是擦寫次數(shù)和速度影響電能表自身的質(zhì)量。FM24C256在電能表中的使用,會提高電能表的數(shù)據(jù)安全存貯特性。
2019-07-11 06:08:19
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
電子工程師的關(guān)注，在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中用FRAM實時保存數(shù)據(jù)的方法可使稅控機的數(shù)據(jù)更可靠，軟件編程更容易用性。 2.3 鐵電存儲器在電子道路收費中的應(yīng)用 2.3.1 概述 電子道路收費系統(tǒng)
2014-04-25 11:05:59
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
鐵電體比EEPROM讀寫速度更快，且該芯片的接口是SPI接口，本質(zhì)上DSP的數(shù)據(jù)存儲，屬于SPI主從機數(shù)據(jù)交互。DSP做主機時會控制通信的時鐘，鐵電模塊FM25CL64作為從機是不能產(chǎn)生時鐘的。如果
2022-01-12 07:24:34
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
DMA控制器在DSP數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用 DMA 控制器可以無需CPU 介入而在內(nèi)部存儲器、外部存儲器和芯片外設(shè)之間傳送數(shù)據(jù),其在DSP 系統(tǒng)中有廣泛的應(yīng)用價值。基于以DSP 芯片
2009-04-28 10:47:02
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
，與芯片系統(tǒng)實現(xiàn)互通互連。外部存儲器始終被看作是 SL3 存儲器，并可在 L1 和 L2 中緩存。接下來的我們將探討在KeyStone 架構(gòu)中實現(xiàn)的各種性能增強。 存儲性能增強 C66x
2011-08-13 15:45:42
你好，我用的是PIC18F450。我的程序太長了。所以最終我的數(shù)據(jù)內(nèi)存的使用率達到了100%，我的程序內(nèi)存達到了13%。所以現(xiàn)在，我不能編譯我的程序。那么有沒有辦法使用程序存儲器代替數(shù)據(jù)存儲器呢？謝謝。
2019-09-24 10:13:44
當(dāng)系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）。
2019-06-28 08:29:29
512KB FLASH，64KB SRAM可是在看到手冊上的存儲器映像時，系統(tǒng)存儲器并沒有包括在512KB的FLASH中，那這BOOTLOADER存在哪了呢？沒有接觸過BOOTLOADER，十分不解，還請大家給解答。
2014-11-26 21:05:35
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫次數(shù)百萬次以上；支持的電壓最高不超過5.5V。很奇葩的要求啊，這個可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
Ramtron 鐵電存儲器（F-RAM)最近在中國開始了他們的產(chǎn)品市場推廣活動，前期的推廣中針對工程師有一個免費申請樣片的機會，包括單片機的(VRS513074、VRS513074開發(fā)板）F-RAM
2009-06-18 15:16:06
stm32擴展鐵電存儲器FM16W08的程序怎么寫？？有參考 的嗎讀寫程序該怎么操作！！
2013-12-26 21:47:03
◎◎○○○○○寫入時間◎◎○－△△△位成本△○△◎△△◎大容量化○◎△◎△△◎存儲單元存儲在觸發(fā)器電路在電容器中保持電荷使鐵電發(fā)生極化將離子注入晶體管在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷
2019-04-21 22:57:08
使用鐵電存儲器FM25CL64B，通過SPI接口讀寫數(shù)據(jù)，memset(send_buff,0x00,sizeof(send_buff));memset(recv_buff,0x00,sizeof
2022-06-07 09:18:12
大家可以看看終極存儲器啊！
2012-04-21 10:37:24
存儲器，顧名思義是存儲設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲器是必不可少的重要組件。為增進大家對存儲器的了解，本文將對存儲器卡以及半導(dǎo)體存儲器的分類予以介紹。如果你對存儲器的相關(guān)知識具有興趣，不妨繼續(xù)往下
2020-12-25 14:50:34
TMS320C32的外部存儲器接口的特點 TMS320C32是一個32位微處理器，它可以通過24位地址總線、32位數(shù)據(jù)總線和選通信號對外部存儲器進行訪問。其外部存儲器接口結(jié)構(gòu)如下圖l所示。 在圖l中
2019-06-14 05:00:08
我們公司是代理富士通鐵電存儲器FRAM，單片機和華邦的FLASH。因為剛開始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類型的客戶，都普遍很少用，只是有一些對產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
帶FRAM存儲器MSP430常見問題及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
電存儲器ＦＲＡＭ，則可很好地解決成本問題，同時又可得到更高的數(shù)據(jù)存儲可靠性。鐵電存儲器是ＲＡＭＴＲＯＮ公司的專利產(chǎn)品，該產(chǎn)品的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲器產(chǎn)品同時擁有隨機存儲器
2019-04-28 09:57:17
影響存儲器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內(nèi)部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真鐵電存儲器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
求購原裝全新FM18L08[此貼子已經(jīng)被admin于2010-9-2 10:36:47編輯過]
2010-09-01 20:08:56
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
深圳坪山回收原裝單片機 回收個人存儲器深圳市科啟達電子科技有限公司成立至今已經(jīng)二十個年頭了，本公司有專業(yè)的團隊，回收工廠，個人，公司庫存呆滯電子呆料。如；二三極管，電容，電阻，鉭電容，連接器，發(fā)光管
2021-12-16 14:02:40
。 隨著PCM存儲單元壓縮，發(fā)生狀態(tài)改變的GST材料體積縮小，所以可使功耗變小或更高的寫入性能。PCM技術(shù)的這種獨一無二的特性使得其縮放能力超越其它存儲器技術(shù)。PCM在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用嵌入式系統(tǒng)中
2018-05-17 09:45:35
怎樣去設(shè)計DSP自動引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件？對FLASH存儲器進行燒寫有哪些步驟？怎樣使用FLASH存儲器去設(shè)計引導(dǎo)裝載系統(tǒng)？
2021-04-27 07:13:39
各位工程師可以看看可能有很多人對這個牌子的存儲器還比較陌生看完之后想必就會了解了！
2012-04-20 09:42:02
TMS320C32的外部存儲器接口的特點 TMS320C32是一個32位微處理器，它可以通過24位地址總線、32位數(shù)據(jù)總線和選通信號對外部存儲器進行訪問。其外部存儲器接口結(jié)構(gòu)如下圖l所示。 在圖l中
2019-06-12 05:00:08
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
存儲器相關(guān)的問題是 DSP 應(yīng)用中非常普遍的問題。本文介紹KeyStone I 系列 DSP 上一些存儲器測試的方法。{:4_95:}http://m.xsypw.cn/soft/3/2014/20140717348554.html
2014-10-30 13:57:57
The FM18L08 is a 256-kilobit nonvolatile memoryemploying an advanced ferroelectric process.
2008-09-23 11:18:01
28 摘要：ＦＭ１８Ｌ０８是Ｒａｍｔｒｏｎ公司新近推出的一種新型鐵電隨機存儲器。該存儲器克服了ＥＥＰＲＯＭ和Ｆｌａｓｈ器件寫入時間長、擦寫次數(shù)少等缺點，而且價格
2009-01-12 12:49:1232 在一些需要下位機單獨工作的特殊場合（如民用“黑匣子”裝置和軍用彈載測試設(shè)備等），其數(shù)據(jù)的高速存儲和掉電不丟失特性就顯得非常關(guān)鍵。鐵電存儲器（ＦＲＡＭ）是Ｒａｍ
2009-01-12 12:52:1748 海爾3499(24C08)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-03 13:13:3316 海爾34F9B-TD(24C08)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-03 13:16:389 TCL 2175e 24C08存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-05 13:17:2221 Tcl3416 24C08存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-06 08:41:0038 TCL3418E(24C08)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-06 08:44:586 TCL 3418e 24c08存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-11 16:06:046 TCL 3418E-08存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-11 16:06:5616 TCL 3480GI-w08存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-11 16:16:569 TCL At29192 24c08存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:27:3011 TCL At2990 24c08存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:41:2242 TCL AT3416U-08存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:44:5451 本文主要介紹了鐵電存儲器FM20L08的原理及應(yīng)用。該存儲器不僅克服了EEPROM和Flash存儲器寫入時間長、擦寫次數(shù)少等缺點，而且增加了電壓監(jiān)控器和軟件控制的寫保護功能，1MB
2010-12-03 16:29:3355
FM3116是Ramtron公司基于I2C的具有多種功能的鐵電存儲器，具有存儲速度快，功耗低，非易失存儲等特點，提出了一種FM3116在復(fù)費率電能表中的應(yīng)用設(shè)計，并給出基于FM3116
2010-12-16 15:43:0649 帶RTC的I2C總線鐵電存儲器芯片-FM31256
FM31256是一種基于I2C總線、采用鐵電體技術(shù)的多功能存儲芯片。除了非易失存儲器外，該器件還具有實時時鐘、低電壓
2009-03-29 15:16:103182 
如何選擇DSP芯片的外部存儲器？DSP的速度較快，為了保證DSP的運行速度，外部存儲器需要具有一定的速度，否則DSP訪問外部存儲器時需要加入等待周期。
2009-04-07 08:45:071744 超大容量存儲器K9F2G08U0M及其在管道通徑儀中的應(yīng)用
摘 要： 新型超大容量Flash存儲器K9F2G08U0M的基本組織結(jié)構(gòu)，給出了存儲器與C8051F020單片機外部存儲器接口(EMIF
2010-01-12 09:51:112552 
介紹了一種新型鐵電存儲器FM25CL64，同時還分析了TMS320VC5402D SP的SPI引導(dǎo)裝載模式，給出了一種基于鐵電存儲器FM25CL64的DSP脫機獨立運行系統(tǒng)的設(shè)計方案，并且該方案已成功地應(yīng)用到一種
2011-09-21 17:04:1374 DSP的存儲器及IO空間，DSP最好的教程，沒有之一
2016-01-06 15:04:511 鐵電存儲器（FRAM）是Ramtron公司近年推出的一款掉電不揮發(fā)存儲器，它結(jié)合了高性能和低功耗操作，能在沒有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數(shù)低的缺點
2017-10-26 10:44:310 相似但卻具有非易失性的隨機存儲器，它沒有ＢＳＲＡＭ模組系統(tǒng)的設(shè)計復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問題，而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。ＦＲＡＭ不但克服了ＥＥＰＲＯＭ和ＦＬＡＳＨ寫入時間長、擦寫次數(shù)低的缺點，同時其成本也比相同容量的鋰電池＋ＳＲＡＭ方案低很多。
2020-05-31 15:43:001115 
而在一些收集存儲數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，系統(tǒng)的電壓可能變化不定或者突然斷電，FM20L08就是針對這些系統(tǒng)可以用來直接替換異步靜態(tài)存儲器（SRAM）而設(shè)計的存儲器，也是Ramtron現(xiàn)有的最大容量的鐵電存儲器
2021-03-29 14:36:232135 
引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。 FM25V05-GTR是串行FRAM存儲器。邏輯上將存儲器陣列組織為65，536×8位，并使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口（SPI
2021-06-08 16:32:20938 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載
2022-07-12 10:20:410 和耐久性設(shè)計，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
的信息不會丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲器）上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
發(fā)出警報聲。 本文主要介紹國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護儀的存儲方案中。對于這些應(yīng)用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
存儲中，鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動取款機、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
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