日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵（GaN）HEMT射頻功率晶體管產品。
2012-12-18 09:13:261196 MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產品，屬于單通道隔離式柵極驅動器，具有超高共模瞬態抗擾性 （CMTI），用于驅動各種逆變器或電機控制應用中的碳化硅 （SiC） 或氮化鎵 （GaN） 晶體管。
2020-03-21 08:17:00838 有源米勒鉗位選配，提升高速開關抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
提供內設端口控制器的雙芯片方案，已獲得完全認證為幫助工程師在新開發產品或在原有產品設計中引入最新的USBPower Delivery充電功能和多用途的USB Type-C?連接器，意法半導體新推出
2018-07-13 13:20:19
鼓勵其他大學的教授改編補充這套課程。 這套由8個自定進度的教程組成的入門課程圍繞意法半導體的SensorTile設計。SensorTile是一個獨一無二的具有物聯網功能的實時嵌入式系統，集成在一個只有
2018-02-09 14:08:48
還有豐富的功能，能夠評測最新一代高分辨率工業級MEMS傳感器，例如，意法半導體最近推出具16位加速度計輸出和 12位溫度輸出的IIS3DHHC 三軸低噪加速度計。在開啟項目前，用戶先將目標傳感器模塊插入
2018-05-22 11:20:41
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進的車載導航
2018-07-17 16:46:16
中國，2018年10月10日——意法半導體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調試探針，進一步改進代碼燒寫及調試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲
2018-10-11 13:53:03
功率放大器以及商用和工業系統的功率放大器。意法半導體與遠創達的合作協議將擴大意法半導體LDMOS產品的應用范圍。協議內容保密，不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
13日 – 針對重要的醫療和工業應用領域，意法半導體采用其經過驗證的支持單片集成模擬電路（雙極晶體管）、數字電路（CMOS）和電源（DMOS）電路的BCD8s-SOI制造工藝，推出一款新的尺寸緊湊、性能
2018-08-13 14:18:07
中國，2018年8月27日——意法半導體的STSPIN830 和 STSPIN840單片電機驅動器集成靈活多變的控制邏輯電路和低導通電阻RDS（ON）的功率開關管，有助于簡化7V-45V工作電壓
2018-08-29 13:16:07
新聞意法半導體推出直觀的固件開發工具，加快物聯網傳感器設計進程意法半導體推出新圖形用戶界面配置器，讓STM8微控制器設計變得更快捷意法半導體（ST）推出新款STM32微控制器，讓日用品具有像智能手機一樣的圖形用戶界面`
2018-07-13 15:52:39
STM32* 微控制器上開發先進的高能效電機驅動器的難度。此舉為空調、家電、無人機、樓宇自動化、機床、醫療設備、電動車等產品設備工程師研發先進電機驅動帶來更多機會，而且無需專門的研發經驗。基于意法半導體上一代
2018-03-22 14:30:41
和RAM）。例如，對于內存來說太大的單個層可以分為兩個步驟。之前的MLPerf Tiny結果顯示，與標準CMSIS-NN分數相比，意法半導體的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的優化版本）具有性能優勢。STM32CubeAI開發云還將支持意法半導體即將推出的微控制器，包括內部開發的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
2 月 15日，意法半導體發布了單通道、雙通道和四通道車規柵極驅動器，采用標準的PowerSSO-16 封裝，引腳分配圖可簡化電路設計升級，增加更多驅動通道。新柵極驅動器適用于所有的汽車系統設備
2023-02-16 09:52:39
，而提供恒流的驅動電路是由一個控制器芯片和若干個元器所組成。意法半導體新款控制器STLED25單片集成能夠驅動多達10支LED的控制電路，因此STLED25不僅能夠簡化手機設計，還可為其它功能釋放更多
2011-11-24 14:57:16
和發射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于器件的源極/發射極而言）。使用專門驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。本文討論柵極驅動器是什么，為何需要柵極驅動器，以及如何定義其基本參數，如時序、驅動強度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
的MOSFET導通轉換能夠在更長時間內提供/吸收更高柵極電流的驅動器，切換時間會更短，因而其驅動的晶體管內的開關功耗也更低。微控制器I/O引腳的拉電流和灌電流額定值通常可達數十毫安，而柵極驅動器可以提供
2021-07-09 07:00:00
短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅動器時，某些特性也是至關重要的。圖1：隔離式柵極驅動器ADuM4135的簡化原理圖電流驅動能力在開關期間，晶體管會處于同時施加了高電壓和高電流的狀態。根據
2021-11-11 07:00:00
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
X-GaN晶體管在Vds尖峰電壓額定值為750V（1微秒）時獲得認證。垂直場依賴擊穿也在相同的1kV范圍內; 松下柵極驅動器IC 松下于2016年底為希望使用GiT快速部署解決方案的開發人員推出了自己
2023-02-27 15:53:50
的熱量，需要更大的散熱器。不幸的是，這增加了系統成本、重量和解決方案總尺寸，這在空間受限的應用中是不期望的或不可接受的。氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有優于硅MOSFET的多種優勢
2017-08-21 14:36:14
集成電路［7］。圖7顯示了單片功率級GaN IC的框圖和實際芯片照片。將這種單片集成電路的實驗測量效率（如圖8所示）與使用具有相同導通電阻的eGaN?晶體管的分立電路進行比較，并由uPI半導體uP1966
2023-02-24 15:15:04
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業內隔離式
2023-02-27 09:37:29
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢，針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續波運行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
）輸出分別實現晶體管的導通和關斷。當使用12V隔離電源作為柵極驅動器供電時，EiceDRIVER?內部會將其分為正向驅動電壓和-2.5V反向關斷電壓這樣可確保驅動電壓不超過晶體管柵極閾值，并大限度減小反向
2021-01-19 16:48:15
的電壓來驅動Q1。這是一個繁瑣的解決方案，對于高效系統來說并不實用。因此，人們需要經過電平轉換并以高端晶體管源極為基準的控制信號。這被稱為功能隔離，可以利用隔離式柵極驅動器（如ADuM4223）來實現。抗
2018-10-25 10:22:56
，則將需要大于VBUS的電壓來驅動Q1。這是一個繁瑣的解決方案，對于高效系統來說并不實用。因此，人們需要經過電平轉換并以高端晶體管源極為基準的控制信號。這被稱為功能隔離，可以利用隔離式柵極驅動器（如
2018-11-01 11:35:35
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
隔離電源轉換器詳解柵極驅動器解決方案選項最優隔離柵極驅動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，只應用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內已經有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關管，控制器以及驅動器
2021-11-28 11:16:55
開關性能。集成驅動器還可以實現保護功能簡介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關性能要優于硅MOSFET，因為在同等導通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導致的反向恢復
2018-08-30 15:28:30
應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了關于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅動器IC的精彩報告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅動集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調節輸出電阻、可調節電流
2018-11-05 09:51:35
）的三層結構的Field-Effect Transistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結構的Field-Effect Transistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化鎵晶體管產品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
開發工具包包括一塊STM32 Discovery主板、一塊GNSS 擴展板和一個軟件功能包。STM32 Discovery主板用于2G / 3G蜂窩網絡與云端之間的連接，GNSS擴展板基于意法半導體的業內
2018-09-07 11:12:27
智能電表芯片單片集成開發智能電表所需的全部重要功能，能夠滿足多個智能電網市場的需求。這些電表連接消費者和供電公司，提供實時電能計量和用電數據分析功能。意法半導體亞太區功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
的持續供應，同時也幫助設備廠商解決了在售產品生命周期長這一難題，為處于有挑戰性的工業環境條件下的產品延長了使用壽命。除工業傳感器之外，該計劃還覆蓋了意法半導體的STM32微控制器、電機驅動器、模擬器
2018-05-28 10:23:37
開發者在電腦上直接使用STM32和STM8設計資源意法半導體(ST)完整全橋系統封裝內置MOSFET、柵驅動器和保護技術以節省空間，簡化設計，精簡組裝意法半導體推出封裝小、性能強的低壓差穩壓器創新產品`
2018-05-28 10:35:07
ODM和一級供應商可以使用Silicon Labs的Si827x隔離式半橋柵極驅動器來構建系統。這些驅動器符合AEC-Q100標準，符合汽車半導體器件的標準質量和文檔要求。高壓氮化鎵電源在電源行業有些獨特
2018-07-19 16:30:38
在功率電子（例如驅動技術）中，IGBT經常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產生于開關期間。為了最大程度減小開關損耗，要求具備較短的開關時間。然而，快速開關同時隱含著高壓瞬
2020-10-29 08:23:33
的應用，例如移動電話中的功率放大器和激光驅動器。
達林頓晶體管
達林頓晶體管有時稱為“達林頓對”，是由兩個晶體管組成的晶體管電路。西德尼·達林頓發明了它。它就像一個晶體管，但它具有更高的獲得電流的能力
2023-08-02 12:26:53
。
在器件層面，根據實際情況而言，歸一化導通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優值系數，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實現了
2023-06-15 15:53:16
應用范圍也越來越廣。據報道，美國特斯拉公司的馬達驅動逆變器使用的是碳化硅半導體。另外，很多讀者都已經在電器市場上看到了使用了氮化鎵半導體的微型 AC轉換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導體，其內部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數的電氣特性均遠超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。由于其高響應和高精度，晶體管可用于各種數字和模擬功能，包括放大器、開關、穩壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
地，氮化鎵晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬，并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導體（MOS）結構。為確保透明，我們可以調整這種設計，將這些不透明金屬改變為透明導電材料如氧化銦錫，它廣泛應用于透明
2020-11-27 16:30:52
鎵技術作為III-V族化合物半導體，氮化鎵(GaN) 具有禁帶寬度大、電子遷移率高、介電系數小、導電性能好的特點，用其制作成的氮化鎵晶體管(GaN FET)具有導通電阻小、結電容小和頻率高的優點，因此
2019-03-14 06:45:08
概述：NV6127是一款升級產品，導通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號2：AON6268絲印：6268屬性：分立半導體產品 - 晶體管封裝：DFN-8參數FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
氮化鎵技術是功率級的真正推動者，如今可提供過去十年無法想象的性能。只有當柵極驅動器與晶體管具有相同程度的性能和創新時，才能獲得GaN的最大性能和優勢。經過多年的研發，MinDCet通過推出
2023-02-24 15:09:34
，然后是驅動輸出的上拉和下拉晶體管。最終封裝中厚層透明硅樹脂將輸入和輸出級分開，并提供了安全隔離。電流驅動輸入級的簡易性、良好的抗噪性和安全隔離是電機驅動器制造商幾乎在所有設計中都采用光電隔離柵極驅動器的主要原因…
2022-11-10 06:40:24
壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感，并且優化開關性能。集成驅動器還可以實現保護功能簡介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關
2022-11-16 06:23:29
快速增長的電動汽車市場，安森美半導體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數字隔離柵極驅動器以及一個用于48V系統的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
對于低噪聲放大器、功率放大器與開關器等射頻前端組件的制造仍力有未逮。氮化鎵GaN氮化鎵并非革命性的晶體管技術，這種新興技術逐漸用于替代橫向擴散金屬氧化物硅半導體(Si LDMOS)和砷化鎵(GaAs
2016-09-15 11:28:41
驅動6V GaN晶體管，用于任何具有單側、雙側或高邊/低邊驅動器的控制器或驅動器。新驅動器 Heyday HEY1011 在 GaN 設計中顯著減小了尺寸并節省了電路板空間。憑借其消除自舉和隔離電源
2023-02-21 16:30:09
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
和頻率電子應用中實現更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉換器我們首先要宣布的是來自意法半導體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉換器，為
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
來說，增益的大小大約等于輸出電流與輸入電流的比值，稱為貝塔。對于金屬氧化物半導體場效應晶體管或 MOSFET，沒有輸入電流，因為柵極與主載流溝道隔離。因此，場效應管的增益等于輸出電流變化與輸入電壓變化
2022-04-29 10:55:25
美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation)宣布推出一款業界最小的白光LED驅動器，可以靈活控制顯示屏背光亮度。這款型號為LM3530的升壓轉換器屬于
2019-09-03 06:18:33
意法半導體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
”的器件。它有多好呢？擊穿電壓是功率晶體管的關鍵指標之一，達到這個臨界點，半導體阻止電流流動的能力就會崩潰。東脅研究的開創性晶體管的擊穿電壓大于250伏。相比之下，氮化鎵花了近20年的時間才達到這一
2023-02-27 15:46:36
耦合器解決方案。集中供電柵極驅動光電耦合器用于提供高壓增強電流絕緣，并提供高輸出電流，以切換電機驅動器或逆變器中的IGBT。電壓比較器和晶體管開關等分立元件用于在短路故障期間保護昂貴的IGBT，而數字
2018-08-18 12:05:14
美國國家半導體公司今天宣布，推出業界首款針對高壓電源轉換器的增強型氮化鎵(GaN)功率場效應晶體管(FET)而優化的100V半橋柵極驅動器
2011-06-23 09:34:581651 意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗位功能，可用于各種開關拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。
2018-08-04 09:20:00826 STGAP2DM柵極驅動器是意法半導體的 STGAP2系列電隔離驅動器的第二款產品，集成了低壓控制和接口電路以及兩個電隔離輸出通道，可以驅動單極或雙極型晶體管的柵極。
2018-11-16 15:46:313905 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間，簡化電路設計。
2022-02-17 10:06:141783 本文介紹了在電機驅動應用中為功率級選擇隔離式柵極驅動器時，您有多種選擇。柵極驅動器可簡單可復雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
近日，意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-12 09:01:31457
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