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電子發(fā)燒友網(wǎng)>嵌入式技術(shù)>嵌入式操作系統(tǒng)> - Linux下flash操作讀、寫(xiě)、擦除步驟

- Linux下flash操作讀、寫(xiě)、擦除步驟

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「正點(diǎn)原子STM32Mini板資料連載」第三十一章 FLASH 模擬 實(shí)驗(yàn)

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2020-04-13 10:38:49

【STM32F411 Nucleo試用體驗(yàn)】+flash的讀寫(xiě)

對(duì)地址操作。 第一個(gè)參數(shù)是地址,第二參數(shù)是讀取數(shù)據(jù)緩沖器,第三個(gè)是讀取的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度。讀寫(xiě)完成之后,我們來(lái)驗(yàn)證一結(jié)果。使用定時(shí)器周期性的讀寫(xiě),先寫(xiě)數(shù)據(jù),然后再讀取數(shù)據(jù),通過(guò)讀取數(shù)據(jù)與寫(xiě)入的數(shù)據(jù)比較,如果相同,LED燈周期性變化。 編譯下載,運(yùn)行,驗(yàn)證了讀寫(xiě)flash是正確的。
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【創(chuàng)龍TMS320C6748開(kāi)發(fā)板試用】+ NOR Flash 芯片的引導(dǎo)(三)

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【重點(diǎn)】飛思卡爾Kinetis系列Flash寫(xiě)數(shù)據(jù)需要注意的問(wèn)題

然后再寫(xiě)入,而如果我們往同一個(gè)扇區(qū)不同地址的Flash空間寫(xiě)入數(shù)據(jù)則不需要每次擦除扇區(qū)而是等整個(gè)扇區(qū)寫(xiě)滿后再執(zhí)行一次擦除操作即可。當(dāng)然,操作是不受上述條件限制的,這個(gè)可以放心,哈哈;2. 如果想選擇
2015-01-15 15:24:13

為什么TC275的flash擦不干凈,且擦除部分會(huì)卡死呢?

我遇到了下面兩個(gè)問(wèn)題,有沒(méi)有人遇到過(guò),能夠解釋一?1. flash擦除后,個(gè)別地址的個(gè)別位不為0.2. 對(duì)擦除后的pflash區(qū)域進(jìn)行,當(dāng)連接仿真器處于調(diào)試狀態(tài)時(shí)能夠正確,但當(dāng)不連接仿真器時(shí)會(huì)卡死。
2024-02-05 07:34:09

為什么我無(wú)法調(diào)用SFUD的擦除操作呢?

就出現(xiàn)問(wèn)題了,寫(xiě)之前先調(diào)用擦除,結(jié)果把整個(gè)flash都給擦除了(flash里有OTA的download區(qū),存儲(chǔ)的升級(jí)包都給擦沒(méi)了),而且寫(xiě)不上,寫(xiě)操作代碼如下:sfud_erase(sfud_dev
2023-01-16 16:21:27

為何我將M483數(shù)據(jù)寫(xiě)入FLASH內(nèi)容后,按復(fù)位鍵,FLASH里的內(nèi)容被擦除掉了?

為何我將數(shù)據(jù)寫(xiě)入FLASH內(nèi)容后,按復(fù)位鍵,FLASH里的內(nèi)容被擦除掉了?列如:FMC_Write(0x0078040,0x05);可以讀到,按復(fù)位再讀就變成0了
2023-06-27 07:31:51

使用stm32f4片上flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不能執(zhí)行代碼嗎?

執(zhí)行寫(xiě)入或擦除操作期間,任何讀取 Flash 的嘗試都會(huì)導(dǎo)致總線阻塞。只有在完成編程操作后,才能正確處理操作。這意味著,寫(xiě)/擦除操作進(jìn)行期間不能從 Flash 中執(zhí)行代碼或數(shù)據(jù)獲取操作。” 我有很大
2018-12-07 09:03:05

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STM32F407HAL用FLASH寫(xiě)掉點(diǎn)保存FLASH工作流程寫(xiě)數(shù)據(jù)流程:Flash解鎖——擦除扇區(qū)——寫(xiě)數(shù)據(jù)到指定空間——上鎖寫(xiě)保護(hù);讀數(shù)據(jù)流程:從指定地址讀出指定長(zhǎng)度數(shù)據(jù)。源文件flash
2021-08-23 07:02:37

關(guān)于flash擦除的問(wèn)題

我想問(wèn)下在寫(xiě)flash擦除命令字 ‘60’之前 。要不要寫(xiě)使能命令“06”
2016-01-01 11:29:23

關(guān)于STM32G0 flash擦除失敗問(wèn)題求解

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2023-09-20 07:06:44

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2015-01-16 11:48:39

關(guān)于STM32的FLASH操作【轉(zhuǎn)載】

使用如下步驟對(duì)選項(xiàng)字節(jié)進(jìn)行擦除: 1.檢查FLASH_SR寄存器的BSY位,以確認(rèn)沒(méi)有其他正在進(jìn)行的閃存操作。 2.解鎖FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即,打開(kāi)寫(xiě)使能。 3.設(shè)置
2015-01-16 11:48:39

分享本人寫(xiě)的利用串口發(fā)送GBK字庫(kù)存儲(chǔ)到SPI FLASH的程序

=14.3999996185303px]GBK點(diǎn)陣字庫(kù)又沒(méi)SD接口,研究了用串口發(fā)送的形式,38400的波特率,3分12秒寫(xiě)完[size=14.3999996185303px]燒寫(xiě)SPI FLASH步驟如下1首先燒寫(xiě)
2015-03-03 15:11:46

華大HC32 flash擦除未生效怎么解決

步驟: 以下為官方庫(kù)的扇區(qū)擦除源碼:en_result_t Flash_SectorErase(uint32_t u32SectorAddr){ en_result_t enResult = Ok;...
2021-12-06 06:47:42

在MCU開(kāi)發(fā)中使用多線程操作寫(xiě)是否需要保護(hù)?

,那么多線程訪問(wèn)是安全的,那么對(duì)于一寫(xiě),在某些情況需要保護(hù),某些情況其實(shí)可以不需要保護(hù)。當(dāng)操作數(shù)據(jù)是 1字節(jié) uint8_t 類型數(shù)據(jù),可以不做保護(hù),對(duì)于uint8_t類型的數(shù)據(jù),最終轉(zhuǎn)化為匯編
2023-02-01 15:42:35

在調(diào)試NandFlash的例程時(shí)發(fā)現(xiàn)寫(xiě)操作不成功

在調(diào)試NandFlash的例程時(shí) 發(fā)現(xiàn)寫(xiě)操作不成功寫(xiě)的返回值都表明EDMA沒(méi)有進(jìn)行傳輸 用的是6748的開(kāi)發(fā)板調(diào)試的 Nandopen 和 擦除操作都沒(méi)有問(wèn)題
2019-05-27 08:09:40

基于Linuxkermit工具操作流程概述

* 2)U-Boot: u-boot-1.1.6燒寫(xiě)工具:OpenJtag串口工具:kermit一、Linux串口工具kermit安裝使用 由于光盤(pán)自帶的ubuntu中已經(jīng)安裝好串口工具kermit
2019-09-03 02:06:34

如何對(duì)RAM進(jìn)行寫(xiě)操作

如何對(duì)RAM進(jìn)行寫(xiě)操作
2022-01-18 06:47:23

如何通過(guò)SPI的方式實(shí)現(xiàn)對(duì)外部flash寫(xiě)

如何讀寫(xiě)flash?如何通過(guò)SPI的方式實(shí)現(xiàn)對(duì)外部flash寫(xiě)
2021-12-17 07:18:31

嵌入式Flash扇區(qū)擦除有哪些步驟

FLASH存儲(chǔ)器是什么?嵌入式Flash的特性有哪些?嵌入式Flash扇區(qū)擦除有哪些步驟
2021-09-24 14:40:28

嵌入式linux開(kāi)發(fā)之發(fā)現(xiàn)沒(méi)有flash擦除工具

背景:1、嵌入式linux開(kāi)發(fā),進(jìn)行鏡像升級(jí)功能,發(fā)現(xiàn)沒(méi)有flash擦除工具。2、文件系統(tǒng)的工具通過(guò)busybox生成。解決方案:重新配置和編譯busybox。1、修改.config文件。把相應(yīng)
2021-11-04 06:14:06

求C8051F040的flash擦除寫(xiě)程序,如果能指出我寫(xiě)的錯(cuò)在哪兒...

FLSCL |= 0X01;//使能讀寫(xiě)和擦除PSCTL |= 0X01;//使能FLASH寫(xiě)(*pwrite) = dat;//寫(xiě)入數(shù)據(jù)SFRPAGE = 0X00;PSCTL&= 0XFE
2012-10-31 15:32:43

求助,擦除flash的API函數(shù)esp_partition_erase_range(),擦除的扇區(qū)大小能否設(shè)置?

使用esp_partition_write()函數(shù)保存一條條名單(每條名單128Byte)到分區(qū)表中,然后esp_partition_write()函數(shù)要求寫(xiě)之前需要先擦除該區(qū)域;我的程序一些情況需要修改某條名單的內(nèi)容
2023-02-17 08:45:21

求助,為什么TC275擦除后的flash會(huì)進(jìn)入trap?

1.對(duì)擦除后的pflash區(qū)域進(jìn)行,當(dāng)連接仿真器處于調(diào)試狀態(tài)時(shí)能夠正確,但當(dāng)不連接仿真器時(shí)會(huì)卡死。2.根據(jù)不明建議讓關(guān)閉Flash trap 即:代碼初始化加入MARP.TRAPDIS = 1 ;時(shí),執(zhí)行到相關(guān)語(yǔ)句后直接跑飛。
2024-02-04 09:05:05

用1拖四燒錄器,燒寫(xiě)會(huì)把FLASH擦除

請(qǐng)教一,我用1拖四燒錄器燒寫(xiě)程序會(huì)把FLASH擦除了。因?yàn)槲野鸦鶞?zhǔn)電壓的AD值放到FLASH里面,這樣很容易就看出放到FLASH里的值被擦出了。//代碼選項(xiàng)const unsigned int
2020-11-16 13:22:37

請(qǐng)問(wèn)Linuxnand flash驅(qū)動(dòng)編寫(xiě)步驟是怎樣的?

了。(3)suspend和resume,對(duì)于很多沒(méi)用到電源管理的情況,至少對(duì)于我們剛開(kāi)始寫(xiě)基本的驅(qū)動(dòng)的時(shí)候,可以不用關(guān)心,放個(gè)空函數(shù)即可。2. 對(duì)于nand flash底層操作實(shí)現(xiàn)部分而對(duì)于底層硬件
2018-06-12 10:04:10

請(qǐng)問(wèn)flash操作有沒(méi)有整個(gè)芯片擦除操作

, const uint8 rowData[])是一個(gè)先進(jìn)性擦除寫(xiě)的動(dòng)作,沒(méi)有擦除寫(xiě)分開(kāi)的函數(shù),這樣的操作是否可行?可行的話,可否幫寫(xiě)一個(gè)單獨(dú)寫(xiě)一個(gè)flash row size和單獨(dú)擦除一個(gè)flash row size的函數(shù)?客戶需要用到這樣的操作?2:flash操作有沒(méi)有整個(gè)芯片擦除操作
2018-09-12 11:27:47

請(qǐng)問(wèn)STM32L151為什么FLASH擦除后全是0x00?

以前記得擦除后是0xFF的,,今天調(diào)試發(fā)現(xiàn),STM32L151調(diào)用官方庫(kù)函數(shù)FLASH擦除也沒(méi)有報(bào)錯(cuò)啊,但數(shù)據(jù)卻全是0x00。。。但是編程數(shù)據(jù)寫(xiě)進(jìn)去是可以的,而且寫(xiě)數(shù)據(jù)也是正確的。。。奇怪了翻遍了
2019-01-11 09:02:07

請(qǐng)問(wèn)stm32寫(xiě)flash一定要擦除一頁(yè)嗎?

如題,stm32寫(xiě)flash一定要擦除一頁(yè)嗎??????
2018-08-30 09:44:40

請(qǐng)問(wèn)一CH552的iflash到底是個(gè)啥工藝?

CH552 手冊(cè) 6.2提到 ROM 是 iFlash?工藝,對(duì)于空白 ROM 正式封裝后的成品,可以在 5V 電源進(jìn)行約 200 次編程。6.5 flash-ROM 操作步驟 也沒(méi)提到擦除。相對(duì)
2022-10-11 07:17:34

請(qǐng)問(wèn)什么是Flash擦除

寫(xiě)一個(gè)程序需要先將flash上的程序進(jìn)行擦除,看了很多的額資料,提到的都是用函數(shù)或者命令直接對(duì)flash進(jìn)行擦除。我非常想知道,拋開(kāi)已經(jīng)封裝好的函數(shù)或者命令不說(shuō),擦除單片機(jī)上的flash直接的效果是什么?原理是什么?是用電將其全部至為1或者0嗎?非常的疑惑,希望高手解答一
2019-09-09 12:36:39

轉(zhuǎn):STM32 FLASH 擦除(防誤擦除程序代碼)、寫(xiě)入

編譯環(huán)境:我用的是(Keil)MDK4.7.2stm32庫(kù)版本:我用的是3.5.0一、本文不對(duì)FLASH的基礎(chǔ)知識(shí)做詳細(xì)的介紹,不懂得地方請(qǐng)查閱有關(guān)資料。  對(duì)STM32 內(nèi)部FLASH進(jìn)行編程操作
2016-06-30 11:47:29

Linux驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)筆記:NOR FLASH編寫(xiě)實(shí)例

Nor flash的起始地址為0x80000000。當(dāng)zynq上運(yùn)行Linux后可以通過(guò)對(duì)該地址起始的區(qū)域進(jìn)行擦除、讀寫(xiě)操作從而對(duì)NOR FLASH進(jìn)行操作。具體參看前一篇博客點(diǎn)擊打開(kāi)鏈接. 不過(guò)
2018-06-30 15:34:002336

linux中g(shù)pio復(fù)用設(shè)置操作步驟

要向大家介紹下如何寫(xiě)一個(gè)python程序?qū)崿F(xiàn)控制Arduino中才能控制的I/O接口。上篇文章也說(shuō)過(guò),如果想使用python程序,必須使用SD卡中的Linux系統(tǒng)。那么如何在Linux系統(tǒng)中直接操作GPIO呢?我們來(lái)看看具體的操作步驟
2017-11-15 11:34:567315

基于VxWorks操作系統(tǒng)對(duì)FLASH存取操作進(jìn)行改進(jìn)設(shè)計(jì)

FLASH寫(xiě)操作基于命令字方式完成,分為擦除(erase)和編程(program)兩個(gè)階段。由于FLASH的編程指令只能使“1”改為“0”,擦除指令只能使“0”改為“1”,而且,擦除操作不能在字節(jié)
2020-05-20 08:03:001627

如何使用QSPI Flash控制器開(kāi)發(fā)板上的 QSPI Flash進(jìn)行寫(xiě)讀操作

用于存儲(chǔ)操作系統(tǒng)和程序代碼,或者用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。Flash的存儲(chǔ)單元組織為塊陣列,塊是擦除操作的最小單位,擦除操作
2021-06-10 17:08:4511841

關(guān)于S29GL256S系列并行nor flash的讀寫(xiě)擦除操作實(shí)驗(yàn)

關(guān)于S29GL256S系列并行nor flash的讀寫(xiě)擦除操作實(shí)驗(yàn)(做嵌入式開(kāi)發(fā)用什么電腦好點(diǎn))-fpga verilog實(shí)現(xiàn) S29GL256S 系列 并行 nor flash 的讀寫(xiě)擦除操作功能
2021-08-04 11:42:13107

華大HC32 flash擦除未生效的解決方法

是用戶手冊(cè)的扇區(qū)擦除步驟: 以下為官方庫(kù)的扇區(qū)擦除源碼:en_result_t Flash_SectorErase(uint32_t u32SectorAddr){ en_result_t enResult = Ok;...
2021-11-23 18:06:4040

STM32內(nèi)部Flash讀寫(xiě)問(wèn)題

讀寫(xiě)要注意幾點(diǎn)keil的.map文件中包含了什么操作不當(dāng)導(dǎo)致Flash損壞會(huì)怎樣Flash上鎖與解鎖Keil編譯器如何查看MCU寄存器的值Flash讀、寫(xiě)、擦除擦除寫(xiě)代碼下一篇:Flash擦除長(zhǎng)時(shí)間占用CPU時(shí)間,影響代碼正常運(yùn)行解決方案。概述:??MCU-STM32H743,編程環(huán)境-Keil,F(xiàn)
2021-12-01 20:21:1420

軟件優(yōu)化Flash擦除時(shí)間長(zhǎng)的方法

概述:??通過(guò)地址的偏移,巧妙的避開(kāi)Flash擦除長(zhǎng)時(shí)間占用CPU的使用。??MCU-STM32H743,編譯環(huán)境-Keil說(shuō)明:基礎(chǔ)知識(shí)可以看:Flash讀寫(xiě) 其中包含了本代碼涉及到的所有函數(shù)
2021-12-01 20:36:122

STM32 flash擦除錯(cuò)誤的問(wèn)題臨時(shí)解決措施

STM32 Flash擦除錯(cuò)誤故障現(xiàn)象解決辦法故障現(xiàn)象我們研發(fā)的設(shè)備,在擦除0x0800FC00這一配置頁(yè)時(shí),發(fā)現(xiàn)0x0800E800的數(shù)據(jù)也會(huì)被擦除掉。在擦除0x0800DC00這一
2021-12-02 10:36:068

解決stm32f103同一個(gè)扇區(qū)flash只能擦除一次,再次擦除報(bào)FLASH_ERROR_PG錯(cuò)誤問(wèn)題

項(xiàng)目中用到stm32內(nèi)部flash存儲(chǔ)一些系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù),每次上電重新加載保存的數(shù)據(jù)。早先用法如下圖所示,擦除之前每次要關(guān)閉總中斷,解鎖flash,擦除對(duì)應(yīng)扇區(qū),然后寫(xiě)入數(shù)據(jù)
2021-12-02 11:51:1316

華大電子MCU CIU32L061x8存儲(chǔ)器(Flash)二

在執(zhí)行擦除操作時(shí),不能同時(shí)進(jìn)行讀取操作,需要等待存儲(chǔ)器完成 擦除操作后,讀取操作才能正常進(jìn)行,擦除完成后的?Flash?數(shù)據(jù)為全?1。 5.3.5.1User flash?區(qū)頁(yè)擦除步驟? 對(duì)?User
2023-03-14 09:33:39458

內(nèi)部flash均衡擦除實(shí)現(xiàn)方法

很多時(shí)候我們的產(chǎn)品需要掉電存儲(chǔ)一些重要參數(shù),為了延長(zhǎng)flash的壽命,我們可以在存儲(chǔ)參數(shù)時(shí)增加均衡擦除處理。
2023-05-17 15:47:221222

寫(xiě)flash芯片時(shí)為什么需要先擦除

寫(xiě)flash芯片時(shí)為什么需要先擦除? 在講解為什么需要先擦除Flash芯片之前,先來(lái)了解一下Flash芯片的基本概念和組成部分。 Flash芯片是非易失性存儲(chǔ)器,內(nèi)部由多個(gè)塊組成,每個(gè)塊都是一定
2023-10-29 17:24:372319

Nor Flash編程和擦除操作實(shí)踐與指南

閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)單元,為確保準(zhǔn)確編程,Nor Flash 支持字節(jié)級(jí)編程,允許寫(xiě)入或修改單個(gè)字節(jié),而無(wú)需擦除整個(gè)塊。
2023-12-05 14:03:22390

Nor Flash編程和擦除操作的詳細(xì)流程

Nor Flash 中的編程和擦除操作涉及寫(xiě)入數(shù)據(jù)和擦除存儲(chǔ)單元的特定步驟
2023-12-05 15:19:06321

flash擦除后的值是多少

擦除后的值是指將Flash存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)全部清除,并將其重置為初始狀態(tài)。Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)介質(zhì),它使用電子存儲(chǔ)技術(shù)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。擦除后的Flash存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)都會(huì)被擦除,這就意味著
2024-01-04 15:57:29530

NAND Flash的寫(xiě)入速度和擦除速度分別是多少

NAND Flash的寫(xiě)入速度和擦除速度會(huì)受到多種因素的影響,包括Flash芯片的具體型號(hào)、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此,無(wú)法給出確切的數(shù)值。
2024-02-19 12:41:55697

GD32的FLASH讀、擦除、寫(xiě)操作

一,GD32的flash特征1、在flash的前256K字節(jié)空間內(nèi),CPU執(zhí)行指令零等待;在此范圍外,CPU讀取指令存在較長(zhǎng)延時(shí);2、對(duì)于flash大于512KB(不包括等于512KB
2024-02-19 12:46:25382

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