PECVD作為太陽能電池生產中的一種工藝,對其性能的提升起著關鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面,從而有效提高太陽能電池的光電轉換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池片
2023-09-27 08:35:49
284 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/B6/wKgaomTcZGeAJZInAAAfzRiM67Q313.png)
由于異質結電池不同于傳統的熱擴散型晶體硅太陽能電池,因此在完成對其發射極以及BSF的注入后,下一個步驟就是在異質結電池的正反面沉積ITO薄膜,ITO薄膜能夠彌補異質結電池在注入發射極后的低導電性
2023-09-21 08:36:22
206 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/B6/wKgaomTcZGeAJZInAAAfzRiM67Q313.png)
薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜,使之具有光學、電學等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:48
4003 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/9E/wKgaomSvT5iALCAuAAAf1mGqGHA493.png)
韞茂科技成立于2018年,致力于成為平臺形態的納米級薄膜沉積設備制造企業。目前擁有ald原子層沉積系統、pvd物理氣體沉積系統、cvd化學氣體沉積系統、uhv超高真空涂層設備等12種產品。
2023-06-28 10:41:03
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2010-10-31 14:00:00
原子層沉積(Atomic layer deposition,ALD)是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學氣相沉積技術。
2023-06-15 16:19:21
1230 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/C6/wKgaomSKyUuAOix-AAB9kC8F8uw885.jpg)
什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現在物理性質方面,主要包括力學性質、電學性質等方面,下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:42
2621 單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型,其主要區別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉換效率和穩定性,因此在太陽能發電領域中應用較為廣泛。但是,制造過程成本較高,價格較貴。
2023-06-08 16:04:41
3290 離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術,可與濺射或熱蒸發工藝一起使用,以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質量薄膜。
2023-06-08 11:10:22
547 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/56/wKgZomSBRoCANxVUAAArdss5aPY823.jpg)
在了解芯片沉積工藝之前,先要闡述下薄膜(thin film)的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。
2023-06-08 11:00:12
1565 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/56/wKgZomSBRAqAZ6C1AAA9rKKEU0g757.jpg)
。 PVD 沉積工藝在半導體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個高真空的平臺,在
2023-05-26 16:36:51
966 碳化硅單晶襯底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下簡稱SiC襯底)也是晶體材料的一種,屬于寬禁帶半導體材料,具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優勢,是制備大功率電力電子器件以及微波射頻器件的基礎性材料。
2023-05-18 09:54:34
1314 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/DF/wKgaomRlhcSAVqJ3AABCJ4O_CUM074.png)
ALD技術是一種將物質以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法,能夠實現納米量級超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:05
1404 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/42/wKgaomRHidOAdkd4AAAcPqIe0aw192.jpg)
薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ,薄膜的技術參數直接影響芯片性能。
半導體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求,而ALD技術憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優異的均勻性和三E維保形性,在半導體先進制程應用領域彰顯優勢。
2023-02-16 14:36:54
350 摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統加工方式已經不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術,本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現狀,分析對比了切片、薄化、拋光加工工藝機理,指出了加工過程中的關鍵影響因素和未來發展趨勢。
2023-01-11 11:05:55
960 作為半導體產業中的襯底材料,碳化硅單晶具有優異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領域有著廣泛的應用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能,因此外延應用對碳化硅晶片表面質量的要求
2022-10-11 16:01:04
3047 單晶圓系統也能進行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場多晶硅/硅化物沉積
2022-09-30 11:53:00
999 將ZnO:Al薄膜織構化與沉積條件的依賴性分開是優化ZnO作為太陽能電池中的光散射、透明接觸的一個重要方面。對于給定的多晶ZnO:Al薄膜,凹坑的密度和形狀可以通過改變各種酸的溫度和濃度來控制。凹坑
2022-05-23 16:51:23
2111 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/45/43/poYBAGKLSwuAFxMtAAExs8_NQwU494.png)
中蝕刻的ZnO表面上的HCl蝕刻的演變,并且發現酸性和堿性溶液的蝕刻位置是相同的。我們的結論是,在生長過程中,誘導加速腐蝕的“特殊”缺陷形成于薄膜中,并且這些缺陷可以以與單晶ZnO中的螺旋位錯類似的方式延伸部分或全部穿過薄膜。
2022-05-09 13:28:32
301 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/42/6A/pYYBAGJ4poGALGKNAAB9wFItx54673.jpg)
我們已經使用“種子層概念”在
薄膜太陽能電池的玻璃上形成大晶粒
多晶硅(
多晶硅)膜,該概念基于薄的大晶粒
多晶硅模板(種子層)的外延增厚。由于玻璃襯底,所有工藝步驟都被限制在大約600℃的溫度?;诜蔷Ч?/div>
2022-04-13 15:24:37
1174 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3C/E9/poYBAGJWeraAE4bjAAAXtW_jxP0427.jpg)
了實驗室反應器配置。給出了根據所需薄膜特性設計和使用等離子體化學氣相沉積反應器的參考點。最后,討論了避免粉末形成和提高薄膜生長速率的解決方案。 介紹 在過去的二十年里,非平衡(“冷”)大氣壓力等離子體增強化學氣相沉積(AP-P
2022-02-21 16:50:11
1728 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/31/BE/pYYBAGITUkOAFccoAABaYM4RHVE691.jpg)
太陽能板單晶的好還是單晶的好?這個問題不能一概而論,這個要從你側重哪個,價格,弱光,轉化效率等等方面去考慮。那首先先分別介紹一下單晶太陽能電池板,多晶太陽能電池板。 單晶太陽能電池
2022-02-17 14:51:58
30953 大約100°CTo然后可以致密該碳化硅層以去除氫含量。此外,碳化硅層可以暴露于氮源以提供活性氮-氫基團,然后可以使用其它方法堡續沉積薄膜。等離子體處理條件可用于調節薄膜的碳、氫或氮含量。
2022-02-15 11:11:14
2791 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/30/92/pYYBAGILGdOACNODAACsO_epbeg875.jpg)
或者在大約100°CTo然后可以致密該碳化硅層以去除氫含量。此外,碳化硅層可以暴露于氮源以提供活性氮-氫基團,然后可以使用其它方法堡續沉積薄膜。等離子體處理條件可用于調節薄膜的碳、氫或氮含量。文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
2022-02-07 14:01:26
816 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/2F/13/poYBAGIAhZSAGT5kAABb7G5Z7hk852.jpg)
薄膜集成電路是使用了薄膜工藝在藍寶石、石英玻璃、陶瓷、覆銅板基片上制作電路元、器件及其接線,最后進行封裝而成的。 集成電路薄膜沉積工藝可以分為三類,為物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD
2021-12-22 16:41:06
7238 研集團與電科集團間的業務合作伙伴關系。 ? 硅單晶產品被用于泛林、東京電子設備及臺積電產線 ? 有研半導體成立于2001年6月,目前主要從事硅材料的研究、開發、生產與經營,產品包括集成電路用5-12英寸硅單晶及硅片、功率集
2021-06-26 07:37:00
3032 半導體單晶和薄膜制造技術說明。
2021-04-08 13:56:51
38 太陽能電池是現代的重要電池產品之一,太陽能電池借助太陽的熱能,為諸多設備提供了電力支持。為增進大家對太陽能電池的了解,本文將對單晶硅太陽能電池和多晶硅薄膜太陽能電池予以介紹。如果你對太陽能電池具有興趣,不妨繼續往下閱讀哦。
2021-02-17 17:33:00
7442 硅材料是半導體產業最基礎、最核心的材料,半導體產業鏈的復雜生產流程,也要從基礎硅材料的生產開始。在硅材料的生產中,有兩個基礎的概念:多晶硅和單晶硅。這二者具體代表什么意思呢?它們的區別在哪里呢?本篇科普文章就簡單給大家簡單作一個解析
2020-12-24 13:21:16
10450 在激烈的競爭之下,多晶硅因其成本低的優勢,市場份額逐漸提高。不過部分企業也在單晶硅領域持續研發,讓單晶硅的成本有了進一步下降。 多晶硅方面,目前比較主流的生產工藝主要有兩種,分別為改良西門子法和硅烷
2020-12-09 17:37:19
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2020-11-24 18:30:40
19 太陽能電池的發展過程,主要經歷了三個階段: 第一階段,主要是多晶硅、單晶硅太陽能電池。 第二階段,主要是非晶硅薄膜太陽能電池和晶硅薄膜太陽能電池。 第三階段,主要是鈣鈦礦太陽能電池、量子點太陽能電池
2020-11-03 20:54:31
1564 太陽能電池的發展過程,主要經歷了三個階段:第一階段,主要是多晶硅、單晶硅太陽能電池。第二階段,主要是非晶硅薄膜太陽能電池和晶硅薄膜太陽能電池。第三階段,主要是鈣鈦礦太陽能電池、量子點太陽能電池、有機太陽能電池等一些新概念太陽能電池。
2020-09-16 12:20:17
6702 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C6/9F/o4YBAF9hpzuAYNfKAAF1RvwadZg466.png)
單晶爐,全自動直拉單晶生長爐,是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設備。
2020-08-25 16:07:31
7387 近日,杭州立昂微電子股份有限公司再傳佳報,浙江省第一根擁有完全自主知識產權的量產型集成電路用12英寸硅單晶棒在衢州拉制成功。
2019-07-09 10:32:43
3765 單晶硅光伏組件是以高純的單晶硅棒為原料的太陽能電池板,目前廣泛的應用于光伏市場中。單晶硅光伏組件光電轉換率較高,在弱光條件下表現比同類產品更好。多晶硅光伏組件是由多晶太陽能電池片按照不同的串、并陣列排列而構成的。多晶硅光伏組件性價比較高,交大光谷的多晶硅光伏組件的發電效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:50
62075 單晶硅具有兩種同晶,結晶和無定形。晶體硅進一步分為單晶硅和多晶硅,兩者都具有金剛石晶格。該晶體硬且脆,具有金屬光澤,并且是導電的,但導電性不如金屬,并且隨溫度增加,并且具有半導體特性。
2019-04-11 13:53:31
173104 制造一個芯片,需要先將普通的硅制造成硅單晶圓片,然后再通過一系列工藝步驟將硅單晶圓片制造成芯片,其中電子級多晶硅是最高純度等級的多晶硅產品,是整個半導體產業鏈的關鍵基礎材料,由于提純工藝復雜,導致進入壁壘高,行業的集中度比較高,企業壟斷性利潤空間大。
2018-10-23 09:47:23
3936 大家都知道太陽能電池板分為單晶、多晶和非晶硅,現在大多數太陽能電池板主要以單晶和多晶為材料。那么太陽能電池板是單晶好呢還是多晶好?太陽能電池板單晶好還是多晶好,都有什么特點呢?太陽能板單晶和多晶區別在哪里?請下文詳解
2018-01-30 09:43:57
323933 多晶硅片,是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來,就結晶成多晶硅。利用價值:從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料。
2018-01-29 19:25:11
40627 本文已多晶硅為中心,主要介紹了多晶硅的技術特征、單晶硅與多晶硅的區別、多晶硅應用價值以及多晶硅行業走勢概況及預測進行分析。
2017-12-18 11:28:13
57596 單晶體是指樣品中所含分子(原子或離子)在三維空間中呈規則、周期排列的一種固體狀態。而整個物體是由許多雜亂無章的排列著的小晶體組成的,這樣的物體叫多晶體。
2017-12-08 17:21:04
113221 一、多晶硅電池與單晶硅電池的比較 多晶硅太陽電池與單晶硅太陽電池相比有如下特點: (1)比起單晶硅,多晶硅硅片更適合用純度相對較低的原材料,且有更大的裝填量,目前常見的多晶硅錠達到 250~270
2017-11-13 14:49:07
21 是制造半導體硅器件的原料,用于制大功率整流器、 大功率晶體管、二極管、開關器件等。 二、多晶硅 polycrystalline silicon 多晶硅是生產單晶硅的直接原料, 是當代人
2017-11-07 19:32:02
19 一句話解釋各種名詞: 多晶:晶體顆粒小,同樣的體積對應更多顆粒。 單晶:晶體顆粒大,同樣的體積對應更少顆粒。 (注:由于自由電子會在晶體顆粒邊界處復合,回到被綁定狀態,不能再貢獻電流,所以顆粒越小
2017-09-29 09:45:52
8 CIGs薄膜的制備方法 20世紀70年代Wagner等瞳]利用CulnSe2單晶制備出了最早的CIS太陽能電池,其效率可以達到12%。隨著技術的發展多晶薄膜電池成為了主要的發展方向,相繼出現了共蒸發
2017-09-27 17:52:42
7 根據硅片厚度的不同,可分為晶體硅太陽能電池和薄膜硅太陽能電池兩大類。本文主要論述以下幾種硅基太陽能電池的基本原理:單晶硅太陽能電池,多晶硅太陽能電池,多晶硅薄膜太陽能電池,非晶硅薄膜太陽能電池,微晶硅薄膜太陽能電池。
2017-05-09 15:58:26
21683 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/BE/wKgZomUMQBWAd_W_AAAOJkEQ5mI678.jpg)
本文主要研究了導致組件CTM損失的可能因素,重點分析了造成單晶組件和多晶組件CTM差異的原因。光學損失和B-O復合之間的差異決定了多晶組件的CTM損失要少于單晶組件,對于硼氧復合損失可以想辦法改善,但對于光學損失的差異,針對單晶沒有更好的解決方法。
2016-01-29 11:01:40
5112 單晶硅和多晶硅的區別是,當熔融的單質硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的
2012-10-19 17:23:44
9841 中環半導體股份有限公司近日公布了三項新產品:國內首顆8英寸區熔硅單晶、直拉區熔高效太陽能電池用硅單晶和8英寸〈110〉晶向直拉硅單晶。
2011-12-26 09:45:27
477 低壓化學氣相沉積、固相晶化、準分子激光晶化、快速熱退火、金屬誘導晶化、等離子體增強化學反應氣相沉積等是目前用于制備多晶硅薄膜的幾種主要方法。它們具有各自不同的制備
2011-10-18 12:04:04
1903 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅,然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成
2011-06-23 10:43:22
149 原本堅持做薄膜電池的無錫尚德,做出了一個艱難的決定。公司將原本擬生產薄膜太陽能電池的上海工廠,轉產多晶硅電池。11月初,無錫尚德上海新的多晶硅電池生產廠正式投產,
2010-11-26 11:11:25
846 1)區域熔煉法 以高純多晶硅為原料,制成棒狀,并將多晶硅棒垂直固定,在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的單晶硅
2010-07-18 11:22:11
6097 多晶硅四川230億資本轉戰薄膜太陽能
曾瘋狂一時的多晶硅行業還在遭受陣痛,另一新領域——薄膜太陽能已開始受到資本追捧。3月19日,一座耗資12億元的非晶硅薄膜
2010-03-05 08:51:14
631 《太陽能電池用硅單晶》國家標準 開化起草全國獲獎
筆者昨日從開化縣質量技術監督局了解到,全國半導體設備材料標準化
2010-02-05 09:05:13
652 薄膜電池成市場主導是必然趨勢
簡要內容:太陽能光伏板主要分為兩類:單晶/多晶硅及薄膜太陽能電池。薄膜電池的光電轉
2010-01-28 08:45:05
523 公司立足自主創新,攻克了12 英寸硅單晶生長的熱場設計和安全、雜質和缺陷的控制、硅片幾何參數的精密控制、表面金屬和顆粒的去除等關鍵技術難題,形成了從單晶生長到晶
2009-12-21 10:26:47
22 6 英寸重摻砷硅單晶及拋光片有研半導體材料股份有限公司1 半導體硅材料在國民經濟中的意義在全球信息化和經濟全球化的進程中,以通信業、計算機業、網絡業、家電業
2009-12-14 11:26:10
20 多晶硅薄膜太陽能電池的研制及發展趨勢摘 要: 闡述了多晶硅薄膜太陽能電池的結構、特點, 以及多晶硅薄膜的制備方法, 并展望了多晶硅薄膜電池的發展趨勢和前
2009-11-04 11:57:45
41 什么是多晶硅太陽電池?
多晶硅太陽電池的性能基本與單晶硅太陽電池相同,目前國
2009-10-23 14:34:42
589 insb-多晶薄膜霍爾傳感器的性能研究:它是一種利用霍爾效應進行工作的半導體磁電器件
2009-04-02 09:42:35
15 硅單晶外延層的質量檢測與分析
表征外延層片質量的主要參數是外延層電阻率、厚度、層錯及位錯密度、少數載流子壽命
2009-03-09 13:55:40
2231 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/9F/wKgZomUMNQGAdq7_AAAMYPlbRkc189.jpg)
半導體制程之薄膜沉積
在半導體組件工業中,為了對所使用的材料賦與某種特性,在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用,假如
2009-03-06 17:14:58
5284 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/9E/wKgZomUMNP-AJVL4AAApFlwGwn4283.jpg)
集成電路工藝專題實驗 Topic Experiments of Integrate Circuit Techniques
實驗一 硅單晶(或多晶)薄膜的沉積………………………………………………………3實驗二 硅單晶外延層的質
2009-03-06 14:06:56
5 單晶硅與多晶硅的區別
單晶硅和多晶硅的區別是,當熔融的單質硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些
2009-03-04 15:13:58
4035 多晶薄膜與薄膜太陽電池引言 近幾年來,光伏市場發展極其迅速,1997年光伏組件的銷售量達122Vw,比上年增加38%。世界主要幾大公司宣稱,近期
2009-02-23 21:18:42
1829
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