實驗 箔式應變計與半導體應變計性能比較
實驗目地:
通過實驗對兩種應變電路的特性有充分的了解
實驗所需部件:
直流穩壓電源、箔式應變計、半導體應變計、應變式傳感器實驗模塊、螺
旋測微儀、數字電壓表、應變加熱器、溫度計(自備)
實驗步驟:
1、分別進行箔式應變單臂電橋與半導體應變單臂電橋實驗,直流激勵源
統一為±2V,差動放大器增益置一固定位置,接線如圖(1)。
調整系統,在相同的外部環境下測得兩組數據并填入下表:
2、將電橋中R1固定電阻分別換成箔式片與半導體片,做半橋實驗,測得的兩組數據也填入上表。
3、在同一坐標上做出四條V-X 曲線進行比較。
4、打開應變加熱器,測得箔式應變電橋與半導體應變電橋的溫飄,進行溫度特性比較。
注意事項:半導體應變計加熱后溫飄是非常大的,即使是加熱到了相對的熱平衡,但只要溫度不是絕對穩定,電橋輸出往往還是不能穩定,這不是儀器的毛病
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