FM25V10 新型F-RAM系列產品,具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性

世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，其特點是快速訪問、無延遲(NoDelay) 寫入、1E14讀/寫次數和低功耗。FM25V10是工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、游戲及計算機等應用領域1Mb串行閃存和串行EEPROM存儲器的理想代替產品。此外，Ramtron已計劃在2008年陸續推出SPI、I2C及并行接口V系列F-RAM產品。

Ramtron市場拓展經理Duncan Bennett解釋道：“我們的V系列F-RAM產品能夠滿足客戶對低工作電壓及集成功能的需求，比如說減小板卡空間及降低裝配成本和器件成本。我們的高密度F-RAM生產工藝已經擴展了產品的性能特性，使到V系列F-RAM產品可在很寬泛的電壓范圍工作。”

關于FM25V10

與串行閃存或串行EEPROM不同，FM25V10以總線速度執行寫操作，無寫入延遲，且數據能夠立即寫入存儲器陣列。無需進行數據輪詢即可開始下一個總線周期。相比串行閃存和串行EEPROM，FM25V10的耐用性高出8個數量級以上，所消耗的有效功率卻不到其十分之一。

FM25V10具有高性能F-RAM功能，適用于要求頻繁或快速數據寫入或低功耗操作的非易失性存儲器應用，應用范圍從需要寫入次數多的高頻數據采集應用，到嚴苛的工業控制應用。而在這些應用中，串行閃存或EEPROM因?榍痹詰氖?據丟失風險，而并不適用。

FM25V10具有一個只讀器件ID，可以通過一個獨一無二的序列號和/或系統重置選項來命令它。器件ID提供有關制造商、產品密度和產品版本的信息。獨特的序列號使主機擁有一個ID，以區別于世界上任何其它主機。系統重置選項可省去對外部系統重置部件的需要。

FM25V10可在-40°C至+85°C的工業溫度范圍工作，以40MHz SPI時鐘速率運行時耗電僅為3mA，待機模式耗電僅為90uA，睡眠模式耗電更低至5uA。FM25V10的有功功耗為每MHz 38uA，其電流較同類串行閃存或EEPROM產品低一個數量級。

關于F-RAM V系列

Ramtron的V系列F-RAM產品采用Ramtron和德州儀器共同開發的公認的130nm CMOS生產工藝制造，包括各種并行、串行I2C和SPI存儲器。先進的制造工藝能夠提高產品的技術規格及擴展其功能集。Ramtron計劃在2008年年底前推出的其它V系列產品將具有額外的SPI產品密度，以及I2C和并行接口。所有串行F-RAM V系列產品均具有可選器件的特性，包括獨特的序列號和系統重置選項。

價格和供貨

符合RoHS標準及8腳SOIC封裝的FM25V10現已提供，查詢價格詳情，請與Ramtron 聯絡