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飛兆半導(dǎo)體推出高速M(fèi)OSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器FO

2010-11-18 09:36飛兆半導(dǎo)體 佚名我要評論(0我要收藏

為了滿足全球各地的能效標(biāo)準(zhǔn)要求,太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出一款輸出電流為3A的高速M(fèi)OSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器產(chǎn)品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達(dá)250kHz的功率 MOSFET和IGBT的高頻驅(qū)動(dòng),相比常用的FOD3120柵極驅(qū)動(dòng)器,新器件的傳輸遲延時(shí)間縮短了50%,功耗降低了13%。

FOD3184由鋁砷化鎵(AIGaAs)發(fā)光二極管和集成在電路功率級(jí)中帶有PMOS和 NMOS輸出功率晶體管的CMOS檢測器以光學(xué)方式耦合構(gòu)成,PMOS上拉晶體管具有低 RDS(ON),能夠降低內(nèi)部功耗和提供接近軌對軌輸出電壓擺幅能力。該器件具有高抗噪能力,最低共模噪聲抑制比(CMR)為35kV/µs,適合嘈雜的工業(yè)應(yīng)用。

FOD3184還具有15V至30V寬VCC工作電壓范圍 、3A最大峰值輸出電流,并確保-40ºC至+100ºC的工作溫度范圍。還具有專為驅(qū)動(dòng)IGBT而優(yōu)化的帶有遲滯作用的欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)功能。

FOD3184采用8腳雙列直插封裝,提供>8.0mm的爬電距離(creepage)和電氣間隙,可配合安全機(jī)構(gòu)至關(guān)重要的終端應(yīng)用要求。此外,封裝符合無鉛焊接標(biāo)準(zhǔn)對260ºC回流焊工藝的要求,F(xiàn)OD3184具有1,414V的額定工作電壓(VIORM),能夠驅(qū)動(dòng)1,200V負(fù)載,并保持長期可靠的隔離性能。

FOD3184是飛兆半導(dǎo)體提供同級(jí)最佳抗噪能力、更快開關(guān)速度和更高功效的全面廣泛的高性能光耦合器產(chǎn)品系列的成員。飛兆半導(dǎo)體將開發(fā)更多同類型解決方案,以推動(dòng)工程師的設(shè)計(jì)創(chuàng)新。

標(biāo)簽FOD3184(1)Mo(23)
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