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恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN

2010-12-19 10:36www.elecfans.co 本站我要評論（0）我要收藏

恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC

中國上海，2010年12月6日訊--恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.（Nasdaq: NXPI）今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低R_DSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專門針對高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。

技術(shù)要點(diǎn)：

特性和優(yōu)勢：
針對4.5V柵極驅(qū)動(dòng)的低R_DSon而專門優(yōu)化的先進(jìn)NextPower技術(shù)
Power-SO8封裝確保高可靠性，溫度最高可達(dá)175˚C
超低Q_G、Q_GD和Q_OSS確保了高系統(tǒng)效率
PSMN1R0-30YLC現(xiàn)已開始供貨。
PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款產(chǎn)品，全系列產(chǎn)品將在未來幾個(gè)月中陸續(xù)推出。

積極評論：

恩智浦半導(dǎo)體Power MOSFET營銷經(jīng)理Charles Limonard表示："恩智浦NextPower系列MOSFET將幫助設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)高性能（高效率）、小尺寸和低成本。恩智浦致力于開發(fā)和創(chuàng)新，并不斷改善導(dǎo)通電阻R_DSon、開關(guān)速度和熱效率等關(guān)鍵參數(shù)，從而推出具有業(yè)界領(lǐng)先水平的MOSFET器件。"
Limonard還表示，"PSMN1R0-30YLC具有領(lǐng)先于同類器件的超低R_DSon，可顯著降低功耗；這反過來能提高新一代電子產(chǎn)品的能效，使能效等級更高，尺寸更小"。

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