日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器,其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 麥瑞半導體公司(Micrel Inc.)(納斯達克股票代碼:MCRL)今天推出了一款帶集成電荷泵的小型高邊MOSFET驅動器MIC5019,該器件是為在高邊開關應用中開關N溝道增強型MOSFET設計的。
2012-12-13 10:21:14
1496 近日,德州儀器 (TI) 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:11
1114 MIC4414YFT EV,MIC4414評估板是一款低側MOSFET驅動器,設計用于在低側開關應用中切換N溝道增強型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅動器。該驅動器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極驅動器LTC4441資料下載內容主要介紹了:LTC4441功能和特點LTC4441引腳功能LTC4441內部方框圖LTC4441典型應用電路LTC4441電氣參數
2021-03-29 06:26:56
你好,我正在尋找這兩個MOSFET的驅動器IC,FDD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產生,為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
為正時,它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地,漏極連接到負載,當柵極施加正電壓時,FET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統設計的過程中,選擇N管還是P管,要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
請問下各位大佬,凌力爾特LTC4020芯片CSOUT無輸出是什么原因,能充電,且CSP/CSN有差值,之前出現過小電流充電,后來確認受到干擾,增加電容濾波后能大電流充電。
2023-10-08 11:42:45
凌力爾特公司的成就如何?
2019-09-11 07:28:31
采訪凌力爾特公司聯合創始人兼首席技術官Bob Dobkin- 成績單
2019-08-22 13:34:38
全功能控制器的一種替代方案,并提供了適合多相從屬設計的基本功能。其峰值電流模式架構能實現準確的相位間均流,強大的內置1.1Ω全N 溝道柵極驅動器最大限度地減少了MOSFET開關損耗。 目前,采用28引線4mm x 5mm QFN封裝的LTC3870已提供現貨。
2018-09-27 15:33:15
導讀:據報道,凌力爾特公司近日新推一款同步降壓型從屬控制器--LTC3874.該器件具備電流模式控制功能,無需任何檢測電阻器,便能夠最大限度地提高轉換器效率并增加功率密度。 據悉
2018-11-30 16:36:29
工程師展示了其中的設計細節、設計理論、高水平解決方案等,是成功設計電路的重要參考。《模擬電路設計手冊:應用及解決方案指南叢書》由凌力爾特公司首席技術官Bob Dobkin與模擬電路大師Jim
2017-12-01 17:41:23
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
樣片,大家搞電子的都應該知道是什么,在這里分享下申請凌力爾特(Linear)樣片的過程,希望對大家有用,同時也敬告大家要合理
2012-11-08 15:53:34
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅動器柵極驅動器的關鍵參數
2020-12-25 06:15:08
,高端導通電阻和外部串聯電阻EXT 構成充電路徑中的柵極電阻,低端導通電阻和 REXT 構成放電路徑中的柵極電阻。圖4.具有MOSFET輸出級和功率器件作為電容的柵極驅動器的RC電路模型RDS
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
描述DC-DC 轉換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項目最初旨在為驅動 BLDC 電機的半橋開啟高端和低端 MOSFET。最好將此設計與柵極驅動器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
電排序。 特點和優點: l2線步驟和方向接口l對于N溝道MOSFET雙路全橋柵極驅動器l工作在12~50V的電源電壓范圍。l同步整流。l交叉傳導保護。l可調混合衰減。l集成的DAC正弦電流參考。l固定關斷時間PWM電流控制。l增強型低電流控制。l引腳與A3986兼容。應用電路圖:
2019-10-28 14:00:50
180度。 高端驅動器 高端驅動器設計用于驅動浮動低RDS(ON)N溝道MOSFET驅動電源和下沉柵極電流的最大輸出電阻為5Ω。低輸出電阻允許驅動器在3nF負載下有20ns的上升和下降時間。高壓側
2020-07-21 15:49:18
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技術,具有極低的RDS(on),低柵極電壓和高電流能力,非常適合應用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
隔離電源轉換器詳解柵極驅動器解決方案選項最優隔離柵極驅動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅動上下功率而設計的驅動器同步整流buck中的N溝道mosfet轉換器拓撲。這些驅動程序與ISL6592數字多相降壓型脈寬調制控制器N溝道
2020-09-30 16:47:03
N8322 是一款可驅動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅動芯片,可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。LN8322 內部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關斷狀態
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
導讀:日前,凌力爾特公司(簡稱“Linear”)新推出一款寬電壓范圍同步降壓型DC/DC控制器--LT3840.此器件具備強大的內置柵極驅動器,其電流模式架構提供了簡單的環路補償、快速瞬態響應
2018-09-27 15:19:03
導讀:據報道,Linear(凌力爾特公司)日前宣布推出一款全新的理想二極管橋控制器--LT4321.該器件用低功耗 N 溝道MOSFET橋取代了兩個二極管橋式整流器。 日前,Linear(凌力
2018-09-28 16:07:28
NCP5106BA36WGEVB,NCP5106,36 W鎮流器評估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅動器IC,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術,以確保正確驅動高端電源開關。該驅動程序使用2個獨立輸入
2019-10-12 10:31:24
的優點包括以下幾點內容:設計非常簡單,因此適用于空間受限的地方,例如低壓驅動器和非隔離POL應用。這是高端開關位置內的簡化柵極驅動方法,可以降低總體成本。在低電壓下工作時,MOSFET提供的效率更高
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩壓器中的高側開關。根據應用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1:具有電平移位器的高側驅動
2018-03-03 13:58:23
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極,由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
什么是MOSFET驅動器?MOSFET驅動器功耗包括哪些部分?如何計算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅動器
2018-09-01 09:53:17
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅動上下功率而設計的驅動器同步整流buck中的N溝道mosfet轉換器拓撲。這些驅動程序與ISL6592數字多相降壓型脈寬調制控制器N溝道
2020-09-29 17:38:58
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V(絕對最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
通過,FET也會耗散功率。)換言之,目標便是降低系統內需要高頻率功率轉化的開關過渡時間。突出該類性能的柵極驅動器規格為上升和下降時間。參見圖1。圖1:典型的上升和下降時間圖 如果您想更進一步,諸如延時匹配等柵極驅動器特性…
2022-11-14 06:52:10
LTC1155雙高端柵極驅動器的典型應用允許使用低成本N溝道FET用于高端開關應用
2020-04-16 10:14:10
可以用凌力爾特的芯片做基準電壓源嗎?比如說LT1963這種
2016-07-17 20:06:55
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號,比較用的三角波為10Mhz。需要開關頻率能大于20Mhz的mosfet驅動器。請問mosfet驅動器的最高工作頻率是由什么參數決定的?有能達到20Mhz以上的mosfet驅動器嗎?`
2018-04-11 23:31:46
還可以安裝Arduino UNO R3連接器。該擴展板上使用的IC驅動器是用于N溝道功率MOSFET的L6398單芯片半橋柵極驅動器。 L6398柵極驅動器和STL220N6F7功率MOSFET組合形成BLDC電機的高電流功率平臺,基于STM32 Nucleo板的數字部分提供6步或FOC算法控制解決方案
2020-05-20 08:53:36
輸入閾值對于邏輯“一”大于2.2 V,對于邏輯“零”小于1.0 V。為了抑制噪聲和高頻干擾,在具有1 V遲滯施密特觸發器緩沖器的接收器上使用匹配良好的全差分架構。這允許在MOSFET作為柵極驅動器負載
2023-02-27 09:52:17
您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器,但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先,是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
闡述這些設計理念,以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅動器的功能是驅動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極,通過低輸出阻抗降低導通損耗,同時通過快速開關時間降低開關損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極,由此來控制
2018-09-26 09:57:10
溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1:具有電平移位器的高側驅動IC。圖2:用自舉電路對高側N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
頻率將減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
將減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案,可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源,其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
與 Power Block、DrMOS 等外部功率鏈器件及分立式 N 溝道 MOSFET 和有關柵極驅動器一起工作。 LTC3774 主要是用于 mΩ 以下檢測的電流模式雙輸出降壓型 DC/DC 控制器,低至
2018-11-29 11:22:35
請問一下大神有VN05N柵極驅動器的替代品嗎?
2022-12-21 07:08:20
如題,請問哪位大神有凌力特爾LT8705芯片各管腳的具體定義(各管腳是干嘛用的),能發一份給我嗎?謝謝
2015-11-06 17:31:48
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
影響邊沿速率。如圖4所示,高端導通電阻和外部串聯電阻REXT構成充電路徑中的柵極電阻,低端導通電阻和REXT構成放電路徑中的柵極電阻。圖4. 具有MOSFET輸出級和功率器件作為電容的柵極驅動器的RC電路
2018-11-01 11:35:35
新年伊始,設計師們似乎在永遠不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中,我討論了高電流柵極驅動器如何幫助系統實現更高的效率。高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管,對于大多數類型的FET是固有的。它由p-n結點形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
高頻率變壓器的設計要點
2009-11-19 11:54:24
23 本文講述了一種運用于功率型MOSFET 和IGBT 設計性能自舉式柵極驅動電路的系統方法,適用于高頻率,大功率及高效率的開關應用場合。不同經驗的電力電子工程師們都能從中獲益
2009-12-03 14:05:33
256 MOSFET驅動器與MOSFET的匹配設計本應用筆記將詳細討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關的MOSFET 驅動器功耗。還將討論如何根據MOSFET 所需的導通和截止時間將MOSFET 驅動器的
2010-06-11 15:23:20
212 MAX15054 高邊MOSFET驅動器,用于HB LED驅動器和DC-DC應用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅動器,高壓應用中可工作在較高的開關頻率
2010-01-28 08:43:04
1653 
Linear推出高速同步MOSFET驅動器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449,該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N
2010-02-01 10:22:16
865 
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅動器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449,該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。
2010-02-04 08:40:55
1260 
Diodes公司推出ZXGD3005E6 10A柵極驅動器,在電源、太陽能逆變器和馬達驅動電路中,實現超快速的功率MOSFET及 IGBT負載切換
2011-03-25 11:29:47
1088 東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下半導體&存儲產品公司今天宣布,推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)柵極驅動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:36
1787 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器,可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:23
1402 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比,IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用,因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 。其內部充電泵全面增強了外部 N 溝道 MOSFET 開關,從而使該器件能夠保持接通時間無限長。LTC7004 強大的 1Ω 柵極驅動器能夠以非常短的轉換時間和 35ns 傳播延遲,容易地驅動柵極電容很大的 MOSFET,非常適合高頻開關和靜態開關應用。
2017-09-11 09:36:58
2795 
LTC7004 強大的 1Ω 柵極驅動器能夠以非常短的轉換時間和 35ns 傳播延遲,容易地驅動柵極電容很大的 MOSFET,非常適合高頻開關和靜態開關應用。
2017-09-18 10:49:38
4776 安森美半導體NCP51530 MOSFET柵極驅動器是高頻、700V、2A高側和低側驅動器,適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻率下提供同類最佳的傳播延遲、低靜態電流和低開關電流。這些NCP51530驅動器適用于在高頻下工作的高效電源。
2019-10-03 09:32:00
3247 
柵極驅動器可以驅動開關電源如MOSFET,JFET等,因為如MOSFET有個柵極電容,在導通之前要先對該電容充電,當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導通。
2020-01-29 14:18:00
19390 
來源:羅姆半導體社區 柵極驅動器的作用 柵極驅動器可以驅動開關電源如MOSFET,JFET等,因為MOSFET有個柵極電容,在導通之前要先對該電容充電,當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18
987 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:38
20 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅動器在 -55°C 至 125°C 的節溫范圍內工作
2021-03-19 01:44:18
1 用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器具有強大的柵極驅動
2021-03-19 07:15:03
2 AN53-微功耗高端MOSFET驅動器
2021-05-09 08:28:40
6 LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅動器數據表
2021-05-19 16:35:07
5 LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅動器數據表
2021-05-20 18:32:19
3 LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅動器數據表
2021-05-26 08:42:54
5 ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 ROHM不僅提供電機驅動器IC,還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器,再介紹ROHM超級結MOSFET
2021-08-09 14:30:51
2408 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:17
63 LN8362 是一款可驅動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅動芯片,可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。
2022-06-23 14:20:26
11813 
MOSFET驅動器是一款高頻高電壓柵極驅動器,可利用一個同步 DC/DC 轉換器和高達100V的電源電壓來驅動兩個N溝道MOSFET。強大的驅動能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關損耗。針對
2022-10-25 09:19:34
1345 
柵極驅動參考 1.PWM直接驅動2.雙極Totem-Pole驅動器3.MOSFET Totem-Pole驅動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅動 在電源應用中,驅動主開關
2023-02-23 15:59:00
17 高側非隔離柵極驅動 1.適用于P溝道的高側驅動器2.適用于N溝道的高側直接驅動器 1.適用于P溝道的高側驅動器 高側非隔離柵極驅動可按照所驅動的器件類型或涉及的驅動電路類型來分類。相應地,無論是
2023-02-23 15:35:24
1 LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器,選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵,因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45
514 介紹
在設計電源開關系統(例如電機驅動器或電源)時,設計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統要求?什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器?以及哪種柵極驅動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:43
0 在電機驅動系統中,柵極驅動器或“預驅動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅動電機所需的大電流。在選擇驅動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關無源元件時,有很多需要考量的設計因素。如果對這個過程了解不透徹,將導致實現方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34
808 
意法半導體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36
578 
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