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TLE2072A-Q1 汽車類 Excalibur 低噪聲高速 JFET 輸入運算放大器

數據:

描述

TLE207x系列JFET輸入運算放大器的帶寬是TL07x和TL08x系列BiFET運算放大器的兩倍以上和壓擺率的三倍。德州儀器Excalibur工藝產生的典型本底噪聲為11.6 nV /√Hz,最大可確保17-nV /√Hz,可立即改善使用TL07x設計的噪聲敏感電路。 TLE207x還具有更寬的電源電壓軌,將BiFET電路的動態信號范圍增加到±19 V.偏移電壓的片上齊納調整可產生精密等級,從而在直流耦合應用中實現更高的精度。 TLE207x與低性能BiFET運算放大器引腳兼容,可輕松提高現有設計的性能。

BiFET運算放大器提供JFET輸入晶體管固有的更高輸入阻抗,而不會犧牲相關的輸出驅動帶雙極放大器。這使它們更適合與高阻抗傳感器或極低電平交流信號接口。與具有相當功耗的雙極或CMOS器件相比,它們還具有固有的更好的交流響應。

TLE207x系列BiFET放大器是德州儀器最高性能的BiFET,具有更嚴格的輸入失調電壓并確保最大噪聲規格。需要不太嚴格的規格但尋求TLE207x改進的交流特性的設計人員應考慮使用TLE208x運算放大器系列。

由于BiFET運算放大器設計用于雙電源,因此必須注意觀察單電源供電時的模式輸入電壓限制和輸出擺幅。需要對輸入信號進行直流偏置,并且應將負載端接到中間電源的虛擬接地節點。德州儀器(TI)TLE2426集成虛擬地發生器在使用單電源供應BiFET放大器時非常有用。

TLE207x的額定電壓為±15 V和±5 V.適用于低壓和/或單電源供電系統,推薦使用德州儀器LinCMOS系列運算放大器(TLC和TLV前綴)。從BiFET轉換到CMOS放大器時,應特別注意壓擺率和帶寬要求以及輸出負載。

特性

  • 符合汽車應用要求
  • 直接升級至TL05x,TL07x和TL08x BiFET運算放大器
  • 大于2×帶寬(10 MHz)和3×壓擺率(45 V /μs)比TL07x
  • 確保最大噪聲基底17 nV /√Hz
  • 片內偏移用于改善直流性能的電壓調整
  • 更寬的電源軌將動態信號范圍增加到±19 V

參數 與其它產品相比?通用 運算放大器

?
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
TLE2072A-Q1 TLE2071A TLE2071A-Q1 TLE2071AM TLE2072A TLE2072AM
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Automotive ? ? Catalog ? ? Automotive ? ? Military ? ? Catalog ? ? Military ? ?
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SOIC ? ?
CDIP
CFP
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8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ? See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ?
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ? See datasheet (CDIP)
See datasheet (CFP)
20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC) ? ?
See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ?
See datasheet (CDIP)
See datasheet (CFP)
20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC) ? ?
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技術文檔

數據手冊(1)
元器件購買 TLE2072A-Q1 相關庫存
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