--- 產品參數 ---
- 應用電路 0.5 – 3.0 GHz 應用電路
- 功率 28 V 時 POUT 典型值為 85 W
- 增益 10分貝功率增益
- 排水效率 58% 排水效率
- 匹配 內部匹配
--- 產品詳情 ---
CG2H30070F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配,可在 0.5-3.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷化鎵相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比,GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該器件采用 2 引線金屬/陶瓷法蘭封裝,可實現最佳電氣和熱性能。

特征
0.5 – 3.0 GHz 應用電路
28 V 時 POUT 典型值為 85 W
10分貝功率增益
58% 排水效率
內部匹配
應用
寬帶放大器
電子反措施
信號干擾
米爾康
雷達
數據鏈接
相關型號
CG2H30070F
CG2H30070F-AMP2
CG2H40010F
CG2H40010F-AMP
CG2H40010P
CG2H40025F
CG2H40025F
CG2H40025F-AMP
CG2H40025P
CG2H40035F-AMP
CG2H40035F-AMP1
CG2H40035P
CG2H40045F
CG2H40045F-AMP
CG2H40045P
CG2H40120F
CG2H40120F-AMP
CG2H40120P
CG2H80015D-GP4
CG2H80030D-GP4
CG2H80045D-GP4
CG2H80060D-GP4
CG2H80120D-GP4
CGH09120F
CGH21120F
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CGH21240F
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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