--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 漏源電壓 650A
- 柵極 - 源極電壓 -8/+19V
- 脈沖漏極電流 99A
- 功耗 150W
- 工作結(jié)溫和存儲溫度 -40 to +175?C
--- 產(chǎn)品詳情 ---
C3M0060065K碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關(guān)損耗,可實現(xiàn)最高效率和功率密度,通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先地位;啟用更小;打火機; 在更廣泛的電力系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列非常適合包括高性能工業(yè)電源在內(nèi)的應(yīng)用;服務(wù)器/電信電源;電動汽車充電系統(tǒng);儲能系統(tǒng);不間斷電源;和電池管理系統(tǒng)。

好處
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動
? 啟用新的硬開關(guān) PFC 拓撲(圖騰柱)
特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素,符合 RoHS 標準
應(yīng)用
? 電動汽車充電
? 服務(wù)器電源
? 太陽能光伏逆變器
? UPS
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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