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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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C3M0030090K碳化硅MOSFET

型號： C3M0030090K

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 900V
  • 柵極 -源極電壓靜態(tài) -4/+15V
  • 柵極 -源極電壓靜動 -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 200A
  • 功耗 240W
  • 工作結(jié)溫和存儲溫度: -40 to +150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3M0030090K擴(kuò)展了其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)低電感分立封裝方面的領(lǐng)先地位，具有寬漏極和源極之間的爬電距離和間隙距離 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高頻能力，同時提供適用于高污染環(huán)境的額外電氣隔離。獨立的 Kelvin 源極引腳降低了電感；可將開關(guān)損耗降低多達(dá) 30%。設(shè)計人員可以通過從基于硅的轉(zhuǎn)變來減少組件數(shù)量；改進(jìn)的開關(guān)性能使三級拓?fù)渥優(yōu)楦唵蔚膬杉壨負(fù)涑蔀榭赡?/p>

C3M0030090K

好處
? 降低開關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

 

特征
? C3MTM SiC MOSFET 技術(shù)
? 具有獨立驅(qū)動源引腳的優(yōu)化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
? 太陽能逆變器
? 電動汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源


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