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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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C3M0120100K碳化硅MOSFET

型號： C3M0120100K

--- 產品參數 ---

  • 漏源電壓 1000V
  • 柵極 -源極電壓靜態 -4/+15V
  • 柵極 -源極電壓動態 -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 50A
  • 功耗 83W
  • 工作結溫和存儲溫度 -55to +150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產品詳情 ---

C3M0120100K提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對電動汽車充電系統等快速開關設備進行了優化；工業電源；和可再生能源系統。

1000 V 碳化硅 MOSFET 通過提供具有低導通電阻的獨特器件解決了許多電源設計挑戰；非常低的輸出電容；低源電感，完美融合了低開關損耗和低導通損耗。與基于硅的解決方案相比；Wolfspeed 碳化硅功率器件技術可提高系統功率密度；更高的開關頻率；減少組件數量；減小電感器等組件的尺寸；電容器；過濾器和變壓器。 

C3M0120100K

好處
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統開關頻率

 

特征
? C3MTM SiC MOSFET 技術
? 具有獨立驅動源引腳的優化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準


應用
? 再生能源
? 電動汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 開關模式電源

 

相關型號
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