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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

7.3k 內(nèi)容數(shù) 93w+ 瀏覽量 252 粉絲

C3M0016120K碳化硅MOSFET

型號： C3M0016120K

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1200V
  • 柵極 -源極電壓靜態(tài) -4/+15V
  • 柵極 -源極電壓動態(tài) -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 250A
  • 功耗 556W
  • 工作結(jié)溫和存儲溫度 -40to +175?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3M0016120K是1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化的器件，可用于 UPS 等大功率應(yīng)用；電機控制和驅(qū)動；開關(guān)電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多。基于第三代技術(shù)；各種各樣的導通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為他們的應(yīng)用選擇正確的部件。將 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。

C3M0016120K

好處
? 降低開關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

 

特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 具有獨立驅(qū)動源引腳的優(yōu)化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準

 

應(yīng)用
? 太陽能逆變器
? EV 電機驅(qū)動
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源
? 負載開關(guān)


相關(guān)型號
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C3M0075120D-A C2M0045170P
C3M0075120K-A C2M0045170D
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E3M0075120D CSD01060E
 

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