C3M0032120J1D是1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經過優化器件，可用于 UPS 等大功率應用；電機控制和驅動；開關電源；太陽能和儲能系統；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉換器；和更多。基于第三代技術；各種各樣的導通電阻和封裝選項使設計人員能夠為他們的應用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應用創造了更高效率的強大組合。
好處
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統開關頻率
特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術
? 具有獨立驅動源引腳的優化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
應用
? 太陽能逆變器
? EV 電機驅動
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 開關模式電源
? 負載開關
相關型號
C3M0032120J1 C3M0160120J
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C3M0075120K-A C2M0045170D
E3M0075120K C2M1000170J
E3M0075120D CSD01060E
C3M0075120D CSD01060A
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