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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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C3M0032120J1碳化硅MOSFET

型號： C3M0032120J1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1200V
  • 柵極 -源極電壓靜態(tài) -4/+15V
  • 柵極 -源極電壓動態(tài) -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 120A
  • 功耗 277W
  • 工作結溫和存儲溫度 -40to +150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3M0032120J1D是1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化器件，可用于 UPS 等大功率應用；電機控制和驅動；開關電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉換器；和更多?；诘谌夹g；各種各樣的導通電阻和封裝選項使設計人員能夠為他們的應用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。

C3M0032120J1D

好處
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關頻率

 

特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術
? 具有獨立驅動源引腳的優(yōu)化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準

 

應用
? 太陽能逆變器
? EV 電機驅動
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 開關模式電源
? 負載開關

 

相關型號
C3M0032120J1 C3M0160120J
C3M0032120D C3M0160120D
C3M0032120K C2M0160120D
C3M0040120J1 C2M0280120D
C3M0040120D C3M0350120J
C3M0040120K C3M0350120D
C2M0040120D C2M1000170D
C3M0075120D-A C2M0045170P
C3M0075120K-A C2M0045170D
E3M0075120K C2M1000170J
E3M0075120D CSD01060E
C3M0075120D CSD01060A
C3M0075120J C3D02060E
C3M0075120K C3D02060F
C2M0080120D C3D02060A
 

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