--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 漏源電壓 1200V
- 柵極 - 源極電壓 -10/+25V
- 柵極 - 源極電壓 -5/+20V
- 脈沖漏極電流 160A
- 功耗 278W
- 工作結(jié)溫和存儲溫度 -55to +150?C
- 焊接溫度 260?C
--- 產(chǎn)品詳情 ---
C2M0040120D1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化,可用于 UPS 等大功率應(yīng)用;電機控制和驅(qū)動;開關(guān)電源;太陽能和儲能系統(tǒng);電動汽車充電;高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;和更多。基于第三代技術(shù);各種各樣的導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為他們的應(yīng)用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對,為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。
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好處
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 增加功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
特征
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動
? 抗閂鎖
? 無鹵素,符合 RoHS 標準
應(yīng)用
? 太陽能逆變器
? 開關(guān)模式電源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 電池充電器
? 電機驅(qū)動
? 脈沖電源應(yīng)用
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