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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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C2M0160120D碳化硅MOSFET

型號： C2M0160120D

--- 產品參數 ---

  • 漏源電壓 1200
  • 柵極 - 源極電壓 -10/+25
  • 柵極 - 源極電壓 -5/+20
  • 脈沖漏極電流 40A
  • 功耗 125W
  • 工作結溫和存儲溫度 -55to+150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產品詳情 ---

C2M0160120D為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業內最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經過優化，可用于 UPS 等大功率應用；電機控制和驅動；開關電源；太陽能和儲能系統；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉換器；和更多。基于第三代技術；各種各樣的導通電阻和封裝選項使設計人員能夠為他們的應用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應用創造了更高效率的強大組合。

C2M0160120D


優點
? 更高的系統效率
? 降低冷卻要求
? 增加功率密度
? 提高系統開關頻率

 

特征
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 易于并聯且易于驅動
? 雪崩堅固性
? 抗閂鎖
? 無鹵素，符合 RoHS 標準


應用
? 太陽能逆變器
? 開關模式電源
? 高壓 DC/DC 轉換器
? LED 照明電源


相關型號
C2M0160120D C3D03060A
C2M0280120D C3D04060E
C3M0350120J C3D04060F
C3M0350120D C3D04060A
C2M1000170D C3D06060G
C2M0045170P C3D06060F
C2M0045170D C3D06060A
C2M1000170J C3D08060G
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CSD01060A C3D10060G
C3D02060E C3D10060A
C3D02060F C3D16060D
C3D02060A C3D20060D
C3D03060E C3D02065E
C3D03060F C3D03065E
C3D03060E C3D02065E
 

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