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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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C2M1000170D碳化硅MOSFET

型號： C2M1000170D

--- 產品參數 ---

  • 漏源電壓 1700V
  • 柵極 - 源極電壓 -10/+25
  • 柵極 - 源極電壓 -5/+20
  • 脈沖漏極電流 15A
  • 功耗 69W
  • 工作結溫和存儲溫度 -55to+150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產品詳情 ---

C2M1000170D為1700 V 分立碳化硅 MOSFET。為下一代電源轉換提供更快的開關和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實現更小、更高效的電源轉換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比；碳化硅技術可提高系統(tǒng)功率密度；更高的開關頻率；較小的設計；冷卻器組件；減小電感器等組件的尺寸；電容器；濾波器和變壓器；和總體成本效益。

C2M1000170D

優(yōu)點
? 更高的系統(tǒng)效率
? 提高系統(tǒng)開關頻率
? 降低冷卻要求
? 提高系統(tǒng)可靠性


特征
? 低電容的高速開關
? 高阻斷電壓和低 RDS(on)
? 易于并聯且易于驅動
? 超低漏柵電容
? 無鹵素，符合 RoHS 標準

應用
? 輔助電源
? 開關模式電源
? 高壓容性負載

 

漏源電壓:1700V
柵極 - 源極電壓：-10/+25
柵極 - 源極電壓：-5/+20
脈沖漏極電流：15A
功耗：69W
工作結溫和存儲溫度:-55to+150?C
焊接溫度:260?C


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