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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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C2M0045170P碳化硅MOSFET

型號： C2M0045170P

--- 產品參數 ---

  • 漏源電壓 1700V
  • 柵極-源極電壓動態 -10/+25V
  • 柵極-源極電壓靜態 -5/+20V
  • 脈沖漏極電流 160A
  • 功耗 520W
  • 工作結溫和存儲溫度 -40 to+150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產品詳情 ---

C2M1000170D為1700 V 分立碳化硅 MOSFET。為下一代電源轉換提供更快的開關和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實現更小、更高效的電源轉換系統。與基于硅的解決方案相比；碳化硅技術可提高系統功率密度；更高的開關頻率；較小的設計；冷卻器組件；減小電感器等組件的尺寸；電容器；濾波器和變壓器；和總體成本效益。

C2M1000170D

優點
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統開關頻率


特征
? 具有獨立驅動源引腳的優化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 易于并聯且易于驅動
? 無鹵素，符合 RoHS 標準

 

應用
? 1500V 太陽能逆變器
? 開關模式電源
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 脈沖電源應用

 

漏源電壓:1700V
柵極-源極電壓動態:-10/+25V
柵極-源極電壓靜態：-5/+20V
脈沖漏極電流：160A
功耗：520W
工作結溫和存儲溫度:-40 to+150?C
焊接溫度:260?C


相關型號
C2M0045170P C3D06060F
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