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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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CPM3-0650-0060A裸片碳化硅MOSFET

型號： CPM3-0650-0060A

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 阻斷電壓 650V
  • 電阻 60hR
  • 柵極電荷總數(shù) 46nC
  • 輸出電容 80 pF
  • 反向恢復電荷 151 nC
  • 反向恢復時間 11納秒
  • 最高結(jié)溫 175°C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CPM3-0650-0060A是650 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。Wolfspeed 通過推出第三代 650 V 碳化硅 MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位；啟用更小；打火機; 在更廣泛的電力系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換。650 V SiC MOSFET 是高性能工業(yè)電源等應(yīng)用的理想選擇；服務(wù)器/電信電源；電動汽車充電系統(tǒng)；儲能系統(tǒng)；不間斷電源；和電池管理系統(tǒng)。

CPM3-0650-0060A


好處
以更低的開關(guān)和傳導損耗提高系統(tǒng)效率
實現(xiàn)高開關(guān)頻率操作
提高系統(tǒng)級功率密度
減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求

 

特征
隨溫度變化的低通態(tài)電阻
低寄生電容
具有超低反向恢復的快速二極管
高溫操作 (Tj = 175°C)


應(yīng)用
工業(yè)電源
服務(wù)器/電信
電動汽車充電系統(tǒng)
儲能系統(tǒng) (ESS)
不間斷電源 (UPS)
電池管理系統(tǒng) (BMS)


阻斷電壓:650V
電阻：60hR 
柵極電荷總數(shù)：46nC
輸出電容：80 pF
反向恢復電荷：151 nC
反向恢復時間 ：11納秒
最高結(jié)溫：175°C

 


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