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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMD1012功率晶體管TT Electronics

型號(hào)： DMD1012

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 工作電壓 20V
  • 功率輸出 5W
  • 測(cè)試頻率 1GHz
  • 應(yīng)用范圍 1-1000MHz
  • 有源FET配置 3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMD1012是TT Electronics鍍金多用途硅 DMOS RF FET。

DMD1012


特征
簡(jiǎn)化的放大器設(shè)計(jì)
適用于寬帶應(yīng)用
低溫
RSS
簡(jiǎn)單的偏置電路
低噪聲
高增益 – 最小 16 dB

 

鍍金
多用途硅
DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管
100W – 28V – 500MHz
單端


包裹：DP
配置：?jiǎn)味?br>工作電壓：20V
功率輸出: 5W
最低效率：50
獲得：13
測(cè)試頻率 ：1GHz
應(yīng)用范圍 ：1-1000MHz
有源FET配置：3
BV(Dss):65V

 

應(yīng)用
VHF/UHF 通信
從直流到 2 GHz

 

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