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      3天內不再提示

      Vishay

      VEMD2000X01

      PHOTODIODE 750 TO 1050 NM

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      VEMD2000X01 器件參數

      Function

      • 波長
        940 nm
      • 正向電流
        50 mA
      • 正向電壓
        1 V
      • 反向電壓
        60 V
      • 反向擊穿電壓
        60 V
      • 功率耗散
        215 mW
      • 擊穿電壓
        32 V
      • 下降時間
        100 ns
      • 上升時間
        100 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度
        -40 °C, 100 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 可視角度
        30 o
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SMD,2.3x2.3mm

      Compliance

      • 無鉛
        Y
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        2.77 mm
      • 長度
        2.3 mm
      • 寬度
        2.3 mm

      VEMD2000X01 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      VEMD2000X01 數據手冊

      VEMD2000X01 圖片

      • Future

        Future

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Digikey

        Digikey

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