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      Diodes

      DMG3N60SCT

      N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 600V VDS, 30±V VGS,

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      DMG3N60SCT 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        4 V
      • 連續(xù)漏極電流
        3.3 A
      • 輸入偏置電容
        354 pF
      • 漏源電壓
        600 V
      • 柵極電荷
        12.6 nC
      • 晶體管類型
        N溝道

      Physical

      • 安裝方式
        DIP
      • 制造商封裝
        TO220-3

      DMG3N60SCT 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • DMG3N60SCT.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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