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Omron

EE-SY1200

SENSOR PHOTO ULTRA COMP SMD

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EE-SY1200 器件參數

Function

  • 集電極電流
    20 mA
  • 集電極-發射極電壓
    30 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    30 V
  • 通道數量
    1
  • 輸出配置
    Phototransistor
  • 輸出電流
    20 mA
  • 輸出電壓
    30 V
  • 輸入電流
    50 mA
  • 相應時間
    30 μs
  • 波長
    940 nm
  • 正向電流
    50 mA
  • 正向電壓
    1.2 V
  • 感應距離
    4 mm
  • 感應方式
    Reflective
  • 反向電壓
    4 V
  • 擊穿電壓
    30 V
  • 下降時間
    30 μs
  • 上升時間
    30 μs

Physical

  • 連接器類型
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    4
  • 工作溫度
    -25 °C, 85 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SMD

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    1.1 mm
  • 長度
    3.2 mm
  • 寬度
    1.9 mm

EE-SY1200 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

EE-SY1200 數據手冊

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    來源
  • EE-SY1200
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

EE-SY1200 圖片

  • Digikey

    Digikey

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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