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ON Semiconductor

MJL21193G

Silicon Power Transistor, 3-Pin TO-3BPL, Pb-Free, Tube

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MJL21193G 器件參數

Function

  • 額定電流
    -16 A
  • 額定電壓
    -250 V
  • 頻率
    4 MHz
  • 集電極電流
    16 A
  • 集電極截止電流
    100 μA
  • 集電極發射極飽和電壓@16A,3.2A
    4 V
  • 集電極-基極電壓
    400 V
  • 集電極-發射極電壓
    250 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    250 V
  • 配置
    Single
  • 轉換頻率
    4 MHz
  • 電流增益 hFE@8A,5V
    25
  • 極性
    PNP
  • 晶體管類型
    PNP
  • 增益帶寬乘積
    4 MHz
  • 發射極 - 基極電壓
    5 V
  • 功率耗散
    200 W
  • 元件數量
    1

Physical

  • 重量
    10 mlb
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -65 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    25
  • 制造商封裝
    TO-264-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    26.4 mm
  • 長度
    20.3 mm
  • 寬度
    5.3 mm

MJL21193G EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

MJL21193G 數據手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • MJL21193G
    1年前
    Huaqiu Chip
  • Rev. 7
    1年前
    Altium Library

MJL21193G 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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