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      ILD1217T 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        400 mA
      • 集電極發射極飽和電壓
        400 mV
      • 集電極-發射極電壓
        70 V
      • 隔離電壓
        3 kV
      • 通道數量
        2
      • 輸出電壓
        70 V
      • 輸入電流
        10 mA
      • 電流傳遞比
        80 %
      • 正向電流
        60 mA
      • 功率耗散
        250 mW

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度
        -40 °C, 100 °C
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC

      ILD1217T 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      ILD1217T 圖片

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