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STMicroelectronics

STGB18N40LZT4

IGBT 420V 30A 150W D2PAK

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STGB18N40LZT4 器件參數

Function

  • 集電極電流
    30 A
  • 集電極發射極飽和電壓
    1.35 V
  • 集電極-發射極電壓
    360 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    420 V
  • 配置
    Single
  • 等級
    Automotive
  • 柵極電荷
    29 nC
  • 接通延遲時間
    650 ns
  • 功率耗散
    150 W
  • 擊穿電壓
    420 V
  • 關閉延遲時間
    13.5 μs

Physical

  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-263AB

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    4.6 mm
  • 長度
    10.4 mm
  • 寬度
    9.35 mm

STGB18N40LZT4 數據手冊

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  • STGB18N40LZT4
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

STGB18N40LZT4 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Digikey

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