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      3天內不再提示

      STMicroelectronics

      STGWA30M65DF2

      IGBT 650V 30A TO247-3

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      Function

      • 集電極電流
        60 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        1.55 V
      • 集電極-發射極電壓
        650 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        650 V
      • 配置
        Single
      • 類型
        溝槽場截止
      • 柵極電荷
        80 nC
      • 晶體管類型
        溝槽型場截止
      • 反向恢復時間
        140 ns
      • 功率耗散
        258 W

      Physical

      • 引腳數
        3
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      STGWA30M65DF2 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • STGWA30M65DF2
        1年前
        Huaqiu Chip

      STGWA30M65DF2 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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        Digikey

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