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      Infineon

      IGT60R070D1ATMA1

      Gallium nitride CoolGaN? 600V e-mode power transistor IGT60R070D1 for ultimate efficiency and reliability, PG-HSOF-8, RoHS

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      IGT60R070D1ATMA1 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        1.6 V
      • 連續漏極電流
        31 A
      • 輸入偏置電容
        380 pF
      • 漏源電壓
        600 V
      • 柵源電壓
        -10 V
      • 柵源極擊穿電壓
        -10 V
      • 晶體管類型
        N溝道

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        SFN8

      Compliance

      • 無鉛
        N
      • RoHS
        yes

      IGT60R070D1ATMA1 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IGT60R070D1ATMA1 數據手冊

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        來源
      • Infineon-IGT60R070D1-DS-v02_01-EN.pdf
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