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Vishay

SI8401DB-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT

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SI8401DB-T1-E3 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    -4.5 V
  • 閘/源截止電壓
    -4.5 V
  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    3.6 A
  • 漏源電阻
    65 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    65 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵極電荷@4.5V
    17 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    17 ns
  • 功率耗散
    1.47 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    88 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    28 ns
  • 上升時(shí)間
    28 ns

Physical

  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    4
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    CSPBGA4

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    360 μm
  • 長度
    1.6 mm
  • 寬度
    1.6 mm

SI8401DB-T1-E3 數(shù)據(jù)手冊

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  • SI8401DB-T1-E3
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

SI8401DB-T1-E3 圖片

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