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ON Semiconductor

KSD2012GTU

TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

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KSD2012GTU 器件參數

Function

  • 額定電流
    3 A
  • 額定電壓
    60 V
  • 頻率
    3 MHz
  • 集電極電流
    3 A
  • 集電極發射極飽和電壓
    400 mV
  • 集電極-基極電壓
    60 V
  • 集電極-發射極電壓
    60 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    60 V
  • 配置
    Single
  • 轉換頻率
    3 MHz
  • 電流增益 hFE
    100
  • 極性
    NPN
  • 晶體管類型
    NPN
  • 容值
    220 F
  • 增益帶寬乘積
    3 MHz
  • 發射極 - 基極電壓
    7 V
  • 功率耗散
    25 W
  • 元件數量
    1

Physical

  • 重量
    0.080072 oz
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220F-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes

Dimension

  • 高度
    15.87 mm
  • 長度
    10.16 mm
  • 寬度
    2.54 mm

KSD2012GTU 數據手冊

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    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

KSD2012GTU 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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