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ON Semiconductor

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

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HGTD1N120BNS9A 器件參數

Function

  • 額定電流
    5.3 A
  • 額定電壓
    1.2 V, 1.2 kV
  • 集電極電流
    5.3 A
  • 集電極發射極飽和電壓
    2.5 V
  • 集電極-發射極電壓
    1.2 kV
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    1200 V
  • 配置
    Single
  • 類型
    NPT
  • 柵極電荷
    14 nC
  • 柵極/發射極最大電壓
    7.1 V
  • 晶體管類型
    NPT
  • 接通延遲時間
    15 ns
  • 功率耗散
    60 W
  • 擊穿電壓
    1.2 kV
  • 關閉延遲時間
    67 ns

Physical

  • 重量
    0.009184 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-252AA

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

HGTD1N120BNS9A 數據手冊

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  • 53649f82a4d9adf702a2d9260a45e008.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

HGTD1N120BNS9A 圖片

  • Huaqiu Chip

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