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      ON Semiconductor

      QSB34ZR

      SENSOR PHOTODIODE 940NM 2SMD

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      QSB34ZR 器件參數

      Function

      • 波長
        940 nm
      • 反向電壓
        32 V
      • 反向擊穿電壓
        32 V
      • 功率耗散
        150 mW
      • 下降時間
        50 ns
      • 上升時間
        50 ns

      Physical

      • 重量
        0.00454 oz
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度
        -25 °C, 85 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 可視角度
        120 o
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        SMD,4x4.5mm

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Pb-free

      QSB34ZR EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      QSB34ZR 數據手冊

      QSB34ZR 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

        Farnell

      • Digikey

        Digikey

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