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STMicroelectronics

STP18N65M5

MOSFET N-CH 650V 15A TO220

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STP18N65M5 器件參數

Function

  • 配置
    Single
  • 連續漏極電流
    15 A
  • 輸入偏置電容
    1.24 nF
  • 等級
    Industrial
  • 漏源電阻
    220 mΩ
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源極擊穿電壓
    650 V
  • 漏源導通電阻
    220 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵極電荷@10V
    31 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    36 ns
  • 功率耗散
    110 W
  • 關閉延遲時間
    36 ns
  • 元件數量
    1

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220FPAB-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free

Dimension

  • 高度
    15.75 mm
  • 長度
    10.4 mm
  • 寬度
    4.6 mm

STP18N65M5 數據手冊

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  • STP18N65M5
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

STP18N65M5 圖片

  • Digikey

    Digikey

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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