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      3天內不再提示

      Infineon

      SGW20N60HS

      High Speed IGBT in NPT-Technology, PG-TO-247-3-44, Tube, Green

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      SGW20N60HS 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        36 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        3.15 V
      • 集電極-發射極電壓
        600 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        600 V
      • 配置
        Single
      • 柵極電荷
        100 nC
      • 晶體管類型
        NPT
      • 功率耗散
        178 W

      Physical

      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        240
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無鹵素
        Not Halogen Free

      SGW20N60HS EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SGW20N60HS 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • INFNS14174-1.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • Rev. 2.5
        1年前
        Altium Library

      SGW20N60HS 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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