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      3天內不再提示

      ON Semiconductor

      FGH75T65SQDT-F155

      650V 75A FS4 TRENCH IGBT

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      FGH75T65SQDT-F155 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        150 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        1.6 V
      • 集電極-發射極電壓
        650 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        650 V
      • 類型
        溝槽場截止
      • 正向電流
        150 A
      • 正向電壓
        1.8 V
      • 柵極電荷
        128 nC
      • 反向恢復時間
        76 ns
      • 功率耗散
        375 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        30pcs
      • 制造商封裝
        TO-247AC-3

      Compliance

      • 無鉛
        Yes
      • RoHS
        Yes

      FGH75T65SQDT-F155 數據手冊

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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      FGH75T65SQDT-F155 圖片

      • Huaqiu Chip

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