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      3天內不再提示

      Infineon

      IGP01N120H2

      High Speed 2-Technology IGBT, PG-TO220-3-1, Tube, Green

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      IGP01N120H2 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        3.2 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        2.8 V
      • 集電極-發射極電壓
        1.2 kV
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        1.2 kV
      • 配置
        Single
      • 柵極電荷
        8.6 nC
      • 功率耗散
        28 W

      Physical

      • 工作溫度
        -40 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        500
      • 制造商封裝
        TO-220-3

      Compliance

      • 無鹵素
        Halogen Free

      IGP01N120H2 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IGP01N120H2 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • INFNS16255-1.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • Rev. 2.4
        1年前
        Altium Library

      IGP01N120H2 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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