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Vishay

SI7846DP-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

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SI7846DP-T1-E3 器件參數

Function

  • 閾值電壓
    4.5 V
  • 閘/源截止電壓
    4.5 V
  • 配置
    Single
  • 通道數量
    1
  • 連續漏極電流
    4 A
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    50 mΩ
  • 漏源電壓
    150 V
  • 漏源極擊穿電壓
    150 V
  • 漏源導通電阻@10V,5A
    50 mΩ
  • 漏源導通電阻
    50 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4.5 V
  • 柵極電荷
    36 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    12 ns
  • 導通電阻
    50 mΩ
  • 功率耗散
    1.9 W
  • 關閉延遲時間
    22 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    7 ns
  • 上升時間
    7 ns

Physical

  • 重量
    0.01787 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    PowerPAK1212-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    1.04 mm
  • 長度
    4.9 mm
  • 寬度
    5.89 mm

SI7846DP-T1-E3 數據手冊

  • 文檔
    標題
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    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • SI7846DP-T1-E3
    1年前
    Huaqiu Chip

SI7846DP-T1-E3 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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