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      3天內不再提示

      KEC

      2N5551S-RTK/P

      晶體管類型:-;集射極擊穿電壓(Vceo):160V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):350mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V;

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      2N5551S-RTK/P 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        600 mA
      • 集電極截止電流
        50 nA
      • 集電極發射極飽和電壓@50mA,5mA
        200 mV
      • 轉換頻率
        100 MHz
      • 電流增益 hFE@10mA,5V
        80
      • 功率耗散
        350 mW

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 制造商封裝
        SOT-23

      2N5551S-RTK/P 數據手冊

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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      2N5551S-RTK/P 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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