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      ON Semiconductor

      H11AA3TM

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      H11AA3TM 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        50 mA
      • 集電極發射極飽和電壓
        400 mV
      • 集電極-發射極電壓
        30 V
      • 通道數量
        1
      • 輸出電壓
        30 V
      • 正向電流
        60 mA
      • 正向電壓
        1.5 V
      • 功率耗散
        250 mW
      • 元件數量
        1

      Physical

      • 引腳數
        6
      • 工作溫度
        -40 °C, 100 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Bulk
      • 制造商封裝
        DIP

      H11AA3TM 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • H11AA3TM
        1年前
        Huaqiu Chip

      H11AA3TM 圖片

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