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ON Semiconductor

TIL113M

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

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TIL113M 器件參數

Function

  • 額定功率
    800 mW
  • 集電極電流
    150 mA
  • 集電極發射極飽和電壓@2mA,8mA
    1.25 V
  • 集電極-發射極電壓
    30 V
  • 隔離電壓
    4.17 kV
  • 通道數量
    1
  • 輸出類型
    達林頓晶體管
  • 輸出端數量
    1
  • 輸出電流
    150 mA
  • 輸出電壓
    30 V
  • 輸入類型
    DC
  • 輸入電流
    80 mA
  • 輸入電壓類型
    DC
  • 電流傳遞比
    300 %
  • 每個通道的輸出電流
    150 mA
  • 正向電流
    10 mA
  • 正向電壓
    1.2 V
  • 反向電壓
    3 V
  • 反向擊穿電壓
    3 V
  • 功率耗散
    250 mW
  • 元件數量
    1

Physical

  • 重量
    0.030159 oz
  • 引腳數
    6
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    100 °C
  • 工作溫度
    100 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    DIP-6

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Pb-free

TIL113M EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

TIL113M 數據手冊

TIL113M 圖片

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