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      ON Semiconductor

      FGA30T65SHD

      IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN

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      FGA30T65SHD 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        60 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        2.14 V
      • 集電極-發射極電壓
        2.1 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        650 V
      • 類型
        溝槽場截止
      • 柵極電荷
        54.7 nC
      • 晶體管類型
        Trench Field Stop
      • 反向恢復時間
        31.8 ns
      • 功率耗散
        238 W

      Physical

      • 重量
        0.225789 oz
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        450
      • 制造商封裝
        TO-3P-3

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
      • RoHS
        Yes

      FGA30T65SHD 數據手冊

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        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      FGA30T65SHD 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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