產品
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C2M1000170J碳化硅MOSFET2022-05-27 19:44
產品型號：C2M1000170J 漏源電壓：1700V 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20 脈沖漏極電流：15A 功耗：69W -
C2M0045170D碳化硅MOSFET2022-05-27 19:37
產品型號：C2M0045170D 漏源電壓：1700V 柵極 - 源極電壓：-10/+25V 柵極 - 源極電壓：-5/+20 脈沖漏極電流：160A 功耗：520W -
C2M0045170P碳化硅MOSFET2022-05-27 18:44
產品型號：C2M0045170P 漏源電壓：1700V 柵極-源極電壓動態：-10/+25V 柵極-源極電壓靜態：-5/+20V 脈沖漏極電流：160A 功耗：520W -
C2M1000170D碳化硅MOSFET2022-05-27 18:39
產品型號：C2M1000170D 漏源電壓：1700V 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20 脈沖漏極電流：15A 功耗：69W -
C3M0350120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:44
產品型號：C3M0350120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態：-4/+15V 脈沖漏極電流：：20A 功耗：：50W -
C3M0350120J碳化硅MOSFET2022-05-25 21:36
產品型號：C3M0350120J 漏源電壓:：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態：-4/+15V 脈沖漏極電流：20A 功耗：：40.8W -
C2M0280120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:23
產品型號：C2M0280120D 漏源電壓:：1200V 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20 脈沖漏極電流：：20A 功耗：69.4W -
C2M0160120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:16
產品型號：C2M0160120D 漏源電壓：1200 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20 脈沖漏極電流：40A 功耗：125W -
C3M0160120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:08
產品型號：C3M0160120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19V 柵極-源極電壓動態:：-4/+15V 脈沖漏極電流：250A 功耗：556W -
CGH27030S-AMP1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-25 10:57
產品型號：CGH27030S-AMP1 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益 排水效率：> 28% 排水效率