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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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立年電子科技產品

  • E3M0120090J碳化硅MOSFET2022-05-22 10:54

    產品型號:E3M0120090J 漏源電壓::900V 柵極 -源極電壓靜態:-4/+15V 柵極 -源極電壓動態:-8/+19V 脈沖漏極電流:50A 功耗:83W
  • C3M0065090J碳化硅MOSFET2022-05-22 10:42

    產品型號:C3M0065090J 漏源電壓:900V 柵極 -源極電壓靜態:-4/+15V 柵極 -源極電壓動態:-8/+19V 脈沖漏極電流:90A 雪崩能量,單脈沖:110mJ
  • C3M0065090D碳化硅MOSFET2022-05-22 10:28

    產品型號:C3M0065090D 漏源電壓:900V 柵極 源極電壓靜態:-4/+15V 柵極 源極電壓動態:-8/+19V 脈沖漏極電流:22A 功耗:45W
  • C3M0030090K碳化硅MOSFET2022-05-22 10:16

    產品型號:C3M0030090K 漏源電壓:900V 柵極 -源極電壓靜態:-4/+15V 柵極 -源極電壓靜動:-8/+19V 脈沖漏極電流:200A 功耗:240W
  • C3M0120065K碳化硅MOSFET2022-05-21 22:04

    產品型號:C3M0120065K 漏源電壓:650V 柵極 - 源極電壓:-8/+19V 脈沖漏極電流:51A 功耗:86W 工作結溫和存儲溫度:-40 to +175?C
  • C3M0120065J碳化硅MOSFET2022-05-21 21:54

    產品型號:C3M0120065J 漏源電壓:650V 柵極 - 源極電壓:-8/+19V 脈沖漏極電流:51A 功耗:86W 工作結溫和存儲溫度:-40 to +175?C
  • PC3M0120065L碳化硅MOSFET2022-05-21 21:44

    產品型號:PC3M0120065L 漏源電壓:650V 柵極 - 源極電壓:-8/+19V 脈沖漏極電流:51A 功耗:98W 工作結溫和存儲溫度:-40 to +175?C
  • C3M0120065D碳化硅MOSFET2022-05-21 21:40

    產品型號:C3M0120065D 漏源電壓:650V 柵極 - 源極電壓:-8/+19V 脈沖漏極電流:51A 功耗:98W 工作結溫和存儲溫度:-40 to +175?C
  • C3M0060065J碳化硅MOSFET2022-05-21 18:00

    產品型號:C3M0060065J 漏源電壓:650A 柵極 - 源極電壓:-8/+19V 脈沖漏極電流:99A 功耗:136W 工作結溫和存儲溫度:-40 to +175?C
  • C3M0060065D碳化硅MOSFET2022-05-21 17:52

    產品型號:C3M0060065D 漏源電壓:650A 柵極 - 源極電壓:-8/+19V 脈沖漏極電流:99A 功耗:150W 工作結溫和存儲溫度:-40 to +175?C
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