產(chǎn)品
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CGHV35400F 2023-11-07 15:38
產(chǎn)品型號： CGHV35400F 標(biāo)準(zhǔn)型號 ： CGHV35400F 范圍： 2.9 - 3.5 GHz 特性： 500 W 作用：70% typical drain efficiency 特點(diǎn)： drain efficiency -
CGHV60075D575 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die2023-11-07 15:31
產(chǎn)品型號：CGHV60075D5 標(biāo)準(zhǔn)型號：CGHV60075D5 是否裸芯片：是 范圍：6.0 GHz 特點(diǎn)：GaN HEMT Die 應(yīng)用： 2-Way Private Radio -
CGHV1F025S 25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMT2023-11-07 15:24
產(chǎn)品型號：CGHV1F025S 標(biāo)準(zhǔn)型號：CGHV1F025S 標(biāo)準(zhǔn)功率：25 W 標(biāo)準(zhǔn)范圍：DC - 15 GHz 標(biāo)準(zhǔn)電壓：40 V 特性：GaN HEMT -
CGHV40200PP 200 W, 50 V, GaN HEMT2023-11-07 15:18
產(chǎn)品型號：CGHV40200PP 類型： GaN HEMT 功率：200 W 具體型號：CGHV40200PP 電壓：50 V -
CGHV59070F 70 W, 4.4 - 5.9 GHz, 50 V, RF Power GaN HEMT2023-11-07 15:15
產(chǎn)品型號：CGHV59070F RF Power ：RF Power GaN HEMT 類型：RF 電壓：50 V 頻率范圍：4.4 - 5.9 GHz, 功率：70 W -
CGHV38375F 400 W, 2.75 - 3.75 GHz, Internally-Matched, GaN on SiC Transistor (IM-FET)2023-11-07 15:11
產(chǎn)品型號：CGHV38375F 具體型號：CGHV38375F 電壓：1 功率： 400 W 類型：GaN on SiC Transistor 特點(diǎn)： 2.75 - 3.75 GHz -
CGHV1F025S Package Type: 3x4 DFNPN: CGHV1F025S25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMT2023-11-07 15:05
產(chǎn)品型號：CGHV1F025S 具體型號：CGHV1F025S 功率：25 W 范圍：DC - 15 GHz, 電壓：40 V 類型：GaN HEMT -
CGHV96100F2 100 W, 8.4 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/OutputMatched GaN HEMT2023-11-07 15:02
產(chǎn)品型號：CGHV96100F2 HEMT：(HEMT 頻率：8.4 - 9.6 GHz 50-ohm：50-ohm GaN ：GaN HEMT -
LTC2205IUK#PBF 模數(shù)轉(zhuǎn)換器2023-11-07 13:29
產(chǎn)品型號：LTC2205IUK#PBF 具體型號：LTC2205IUK#PBF ECCN (US)：3A991 Part Statu：Active Resolution：16BIT Sampling R：65Msps -
LTC2207IUK-14#PBF Analog Devices 2023-11-07 13:27
產(chǎn)品型號：LTC2207IUK-14#PBF 具體型號：LTC2207IUK-14#PBF BIT：16 1-Channel：1-Channel 48-Pin ： 48-Pin QFN 105Msps： 105Msps