產品型號：SI4559DY-T1-GE3-VB
絲印：VBA5638
品牌：VBsemi
參數：
- 通道類型：N+P溝道MOSFET
- 額定電壓：±60V
- 額定電流：正向6.5A，反向5A
- 導通電阻：正向28mΩ，反向51mΩ（在VGS=10V、VGS=20V時）
- 閾值電壓：正向±1.9V
- 封裝：SOP8
詳細參數說明：
SI4559DY-T1-GE3-VB是一款N+P溝道MOSFET，具有雙通道結構，適用于多種電路設計。其額定電壓為±60V，可靠性高，適用于不同電源電壓條件下的電路應用。正向和反向的額定電流分別為6.5A和5A，滿足多種功率需求。此外，其低導通電阻（正向28mΩ，反向51mΩ）和閾值電壓（正向±1.9V）使其能夠在高效、低壓驅動條件下工作。
應用簡介：
SI4559DY-T1-GE3-VB適用于多種領域和模塊，以下是一些典型的應用示例：
1. 電源逆變器模塊：由于其高額定電壓和低導通電阻，可用于電源逆變器模塊中的功率開關，實現電源的高效轉換。
2. 電動汽車充電樁：在電動汽車充電樁中，該產品可用于功率開關，提供穩定可靠的充電功能。
3. 工業控制系統：適用于工業控制系統中的電機驅動器、逆變器等模塊，實現功率控制和調節。
4. 太陽能逆變器：可用于太陽能逆變器中，實現太陽能電能轉換為可用電能的功能。
通過以上應用簡介，可見SI4559DY-T1-GE3-VB具有廣泛的應用領域，可為不同行業的電子產品提供穩定可靠的功率控制和驅動功能。
