產品型號：SI4565DY-T1-E3-VB
品牌：VBsemi
絲印：VBA5638
參數：
- 通道類型：N+P溝道
- 額定電壓：±60V
- 額定電流：6.5A（正通道） / -5A（負通道）
- 開啟電阻：RDS(ON)=28mΩ（正通道） / 51mΩ（負通道） @VGS=10V，VGS=20V
- 閾值電壓：Vth=±1.9V
- 封裝：SOP8
詳細參數說明：
SI4565DY-T1-E3-VB是一款N+P溝道的功率MOSFET，具有正負兩個通道，適用于雙向功率控制應用。其額定電壓為±60V，正通道額定電流為6.5A，負通道額定電流為-5A，具有低導通電阻和高開關速度的特點。在10V和20V的門源電壓下，正通道的導通電阻為28mΩ，負通道的導通電阻為51mΩ。閾值電壓為±1.9V。封裝為SOP8，適合表面貼裝工藝。
應用簡介：
SI4565DY-T1-E3-VB適用于各種需要雙向功率控制的應用場合，包括但不限于以下領域：
1. 電動車充電樁：可用于電動車充電樁中的雙向充電控制模塊，實現電動車與充電樁之間的雙向電能轉換。
2. DC-DC轉換器：可應用于雙向DC-DC轉換器中，實現不同電壓和電流之間的雙向轉換，適用于移動設備和工業控制領域。
3. 電池管理系統：可用于電池管理系統中的雙向電流控制模塊，實現電池充放電控制和電能回饋，提高能源利用率。
舉例說明：
在電動車充電樁模塊中，SI4565DY-T1-E3-VB可用于控制電動車與充電樁之間的雙向電能轉換，實現高效率的電能充放電。同時，在DC-DC轉換器模塊中，SI4565DY-T1-E3-VB可用于實現不同電壓和電流之間的雙向轉換，適用于各種移動設備和工業控制場合。
