特點
AON7407將先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，
提供極低的RDS（ON）該設(shè)備是負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。
描述
A.RθJA的值是用安裝在1in2 FR-4板上的裝置測量的，帶有2oz。銅，在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中。功率耗散PDSM基于RθJA t≤10s值和150°C的最大允許結(jié)溫。任何給定應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計。B.功率耗散PD基于TJ（MAX）=150°C，使用結(jié)-殼熱阻，在使用額外散熱的情況下設(shè)置耗散上限更有用。C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）=150°C的限制。額定值基于低頻率和工作循環(huán)，以保持初始TJ=25°C。D.RθJA是從結(jié)到情況RθJC和情況到環(huán)境的熱阻之和。E.圖1至圖6中的靜態(tài)特性是使用<300μs脈沖獲得的，占空比最大為0.5%。這些曲線基于結(jié)-殼熱阻抗，該熱阻抗是在將設(shè)備安裝到大型散熱器上的情況下測量的，假設(shè)最大結(jié)溫度為TJ（max）=150°C。SOA曲線提供了單脈沖額定值。最大額定電流受封裝限制。H.這些測試是在設(shè)備安裝在1 in2 FR-4板上的情況下進(jìn)行的，板上有2 oz。銅，在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中
