產品型號：SQ4917EY-T1-GE3-VB
絲印：VBA4658
品牌：VBsemi
參數：
- 2個P—Channel溝道
- -60V
- -5.3A
- RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- Vth=-1~-3V
封裝：SOP8
詳細參數說明：
SQ4917EY-T1-GE3-VB是一款具有2個P—Channel溝道的功率MOSFET，工作電壓為-60V，最大漏極電流為-5.3A。其漏源電阻(RDS(ON))在VGS=10V和VGS=20V時分別為58mΩ。門閾電壓(Vth)范圍為-1V至-3V。該產品采用SOP8封裝。
應用簡介：
SQ4917EY-T1-GE3-VB適用于多種領域的功率電路和模塊，例如：
1. 電動車輛和電動機械：可用于電動車輛的電機驅動器、電動機械的功率控制模塊等。
2. 工業自動化：適用于工業控制系統中的功率開關模塊、電機驅動器等。
3. 電源管理模塊：可用于DC-DC轉換器、開關穩壓器（Buck Converter）等功率電源模塊。
4. LED照明：適用于LED驅動電源模塊、LED照明控制器等。
舉例說明：
在電動車輛領域，SQ4917EY-T1-GE3-VB可用作電動車輛的電機驅動器中的功率開關元件，通過控制電機的速度和轉向，實現電動車輛的靈活駕駛和高效運行。
